Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
595 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 55,050 € |
5+ | 50,970 € |
10+ | 45,910 € |
25+ | 42,900 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
55,05 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E1G64D4NW-046 WT:C
Código Farnell3861304
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria64Gbit
Configuración de Memoria1G x 64bit
Frecuencia de Reloj Máx.2.133GHz
Encapsulado del CIVFBGA
Número de pines432Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.1V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT53E1G64D4NW-046 WT:C is a mobile LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8 banks.
- 16n prefetch DDR architecture, single-ended CK and DQS support
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, on-chip temperature sensor to control self-refresh rate
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin, 1 Gig x 64 configuration
- 432-ball VFBGA package
- Operating Temperature range from -25°C to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Configuración de Memoria
1G x 64bit
Encapsulado del CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.1V
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
64Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
2.133GHz
Número de pines
432Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.003629