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MT52L256M64D2LZ-107 WT:B
DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64bit, 933 MHz, WFBGA, 216 Pines
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT52L256M64D2LZ-107 WT:B
Código Farnell4566895
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 22,420 € |
| 5+ | 21,590 € |
| 10+ | 20,750 € |
| 25+ | 20,080 € |
| 50+ | 19,280 € |
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT52L256M64D2LZ-107 WT:B
Código Farnell4566895
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR3
Densidad de Memoria16Gbit
Configuración de Memoria256M x 64bit
Frecuencia de Reloj Máx.933MHz
Encapsulado del CIWFBGA
Número de Pines216Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.2V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-30°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR3
Configuración de Memoria
256M x 64bit
Encapsulado del CI
WFBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.2V
Temperatura de Trabajo Mín.
-30°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
16Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
933MHz
Número de Pines
216Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001