93LC46/SN

La 93LC46/SN es una memoria de solo lectura programable de borrado eléctrico (EEPROM) serie de 1kB compatible con MICROWIRE configurada como x8 o x16 bits en función de los niveles de lógica externa del pin ORG. La tecnología CMOS avanzada hace que este dispositivo resulte ideal para aplicaciones de memoria no volátil de baja potencia. Las instrucciones, las direcciones y los datos de reloj se temporizan en el pin DI en el flanco ascendente del reloj (CLK). El pin DO se mantiene normalmente en estado de alta impedancia (Z) excepto cuando está leyendo datos del dispositivo o cuando está comprobando el estado de actividad durante una operación de programación. El estado de operación (listo/ocupado) se puede verificar durante una operación de borrado/escritura mediante configuración del pin DO, un estado DO bajo indica que la programación sigue en proceso, mientras que un estado DO alto indica que el dispositivo está listo. El pin DO pasa a estado de alta impedancia (Z) en el flanco ascendente del CS. Tras la conexión, el dispositivo pasa automáticamente al modo EWDS. Por lo tanto, una instrucción EWEN se debe ejecutar antes de que se pueda ejecutar una instrucción de borrado (ERASE) o escritura (WRITE).

• Suministro único con operación de programación hasta 2,5V
• Tecnología CMOS de baja potencia
• Corriente de lectura activa típica de 100μA a 2,5V
• Corriente de lectura típica en suspensión de 3μA a 2,5V
• Ciclos autosincronizados de borrado y escritura
• Borrado total (ERAL) automático antes de escritura total (WRAL)
• Circuitería de protección de datos a la conexión/desconexión
• Entrada/salida de 3 hilos serie de estándar industrial
• Señal de estado de dispositivo durante ciclos de borrado/escritura
• Función de lectura secuencial
• 1000000 ciclos de borrado/escritura garantizados
• Retención de datos durante <gt/> 200 años