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IXTN660N04T4
Transistor MOSFET, Canal N, 660 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 4 V
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN660N04T4
Código Farnell4060239
Rango de ProductoTrenchT4 Series
Hoja de datos técnicos
Fuera de producción
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTN660N04T4
Código Farnell4060239
Rango de ProductoTrenchT4 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id660A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00085ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Encapsulado del TransistorSOT-227
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Montaje de TransistorMódulo
Disipación de Potencia1.04kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Número de pines4Pins
Gama de ProductoTrenchT4 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Disipación de Potencia
1.04kW
Número de pines
4Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Drenaje Continua Id
660A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00085ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-227
Montaje de Transistor
Módulo
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
TrenchT4 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.044452