Imprimir página
IXFN38N100P
Transistor MOSFET, Canal N, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 40 semanas
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 45,940 € |
| 5+ | 40,320 € |
| 10+ | 34,700 € |
| 50+ | 32,620 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
45,94 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN38N100P
Código Farnell3930411
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id38A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1kV
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.21ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.21ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente6.5V
Disipación de Potencia1kW
Disipación de Potencia Pd1kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
38A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.21ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.21ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
6.5V
Disipación de Potencia Pd
1kW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto