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IXGR48N60C3D1
IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pines
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXGR48N60C3D1
Código Farnell3438398
Rango de ProductoGenX3
Hoja de datos técnicos
222 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,540 € |
| 5+ | 13,410 € |
| 10+ | 10,280 € |
| 50+ | 9,880 € |
| 100+ | 9,480 € |
| 250+ | 9,080 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXGR48N60C3D1
Código Farnell3438398
Rango de ProductoGenX3
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua56A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.3V
Disipación de Potencia125W
Tensión Colector-Emisor Máx600V
Encapsulado del TransistorISOPLUS-247
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoGenX3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
56A
Disipación de Potencia
125W
Encapsulado del Transistor
ISOPLUS-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
GenX3
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.3V
Tensión Colector-Emisor Máx
600V
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004
Trazabilidad del producto