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IXA60IF1200NA
Módulo IGBT, Simple, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXA60IF1200NA
Código Farnell1829727
Hoja de datos técnicos
Fuera de producción
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteIXA60IF1200NA
Código Farnell1829727
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua88A
Configuración IGBTSimple
Corriente de Colector Continua88A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.1V
Disipación de Potencia290W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Número de pines4Pins
Encapsulado del TransistorSOT-227B
Terminación IGBTTornillo
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
The IXA60IF1200NA is a 1200V XPT IGBT with SONIC™ diode and Extreme-light Punch-Through (XPT™) thin wafer technology. Rugged XPT design results in short circuit rated for 10µsec, very low gate charge and low EMI. The thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (sat). SONIC™ diode offers fast and soft reverse recovery as well low operating forward voltage.
- Easy to parallel due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
- Reduced thermal resistance
- Low energy losses
- Fast switching
- Low tail current
- High power density
- Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to breakdown voltages
- Short circuit capability
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
88A
Corriente de Colector Continua
88A
Disipación de Potencia
290W
Número de pines
4Pins
Terminación IGBT
Tornillo
Tecnología IGBT
-
Gama de Producto
-
Configuración IGBT
Simple
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.1V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
SOT-227B
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (3)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.03