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REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Placa de diseño de referencia, 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H, controlador de puerta aislada, MOSFET
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteREFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Código Farnell4412438
También conocido comoREFDR3KIMBGSIC2M, SP005990399
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteREFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Código Farnell4412438
También conocido comoREFDR3KIMBGSIC2M, SP005990399
Hoja de datos técnicos
Fabricante del Núcleo de SilicioInfineon
Número del Núcleo de Silicio1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Tipo de Aplicación de KitControlador de Motor
Subtipo de AplicaciónControlador de puerta aislada SiC MOSFET
Arquitectura del Núcleo-
Subarquitectura del Núcleo-
Familia del Núcleo de Silicio-
Contenido del KitPlaca de Diseño de Referencia 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1 is an upgraded inverter and gate driver board developed for servo motor and drive applications. Designed to evaluate the CoolSiC™ MOSFET 1200 V Generation 2 in TO-263-7 package, features IMBG120R040M2H as the main component for the 3-phase inverter board. The driver circuit incorporates the EiceDRIVER™ compact single-channel isolated gate driver, 1ED3122MC12H, with a Miller clamp function.
- 3-phase servo motor with integrated drive
- CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 40mohm G2
- EiceDRIVER™ Compact, 10A, 5.7KV (rms)
- Insulated metallic substrate (IMS) PCBs
- Input voltage 350VDC to 800VDC and PCB diameter 110mm
- Output voltage 220VAC to 480VAC, output power of 4.2KW
- State-of-the-art Infineon technology
- Compacter design and PCBs with high thermal conductivity
- Passive cooling without cooling fans
- Overcurrent detection circuit and current sampling with isolated amplifier
Especificaciones técnicas
Fabricante del Núcleo de Silicio
Infineon
Tipo de Aplicación de Kit
Controlador de Motor
Arquitectura del Núcleo
-
Familia del Núcleo de Silicio
-
Gama de Producto
-
Número del Núcleo de Silicio
1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Subtipo de Aplicación
Controlador de puerta aislada SiC MOSFET
Subarquitectura del Núcleo
-
Contenido del Kit
Placa de Diseño de Referencia 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa84733020
US ECCN:3A225
EU ECCN:3A225
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):1.2