IRF7343TRPBF
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,330 € |
| 10+ | 0,880 € |
| 100+ | 0,609 € |
| 500+ | 0,483 € |
| 1000+ | 0,456 € |
| 5000+ | 0,404 € |
Información del producto
Resumen del producto
El IRF7343TRPBF es un MOSFET de canal N/P doble que emplea técnicas de procesamiento avanzado para conseguir la mínima resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio combina con la rápida velocidad de conmutación y la robustez de dispositivo. El MOSFET de potencia HEXFET es un dispositivo extremadamente eficiente para uso en una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado mediante un bastidor de conexión personalizado para ofrecer características térmicas mejoradas y capacidad de dado doble, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de potencia. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa significativamente reducido.
- Tecnología de 5ª generación
- Ultrabaja resistencia en estado de conducción ON
- Dispositivo de montaje superficial
- Totalmente certificado para avalancha
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
55V
4.7A
0.043ohm
8Pins
2W
-
-
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto