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IKW40N120H3FKSA1
IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIKW40N120H3FKSA1
Código Farnell1832351
También conocido comoIKW40N120H3, SP000674416
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,510 € |
| 5+ | 6,980 € |
| 10+ | 6,440 € |
| 50+ | 4,920 € |
| 100+ | 4,140 € |
| 250+ | 4,130 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIKW40N120H3FKSA1
Código Farnell1832351
También conocido comoIKW40N120H3, SP000674416
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua40A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.4V
Disipación de Potencia483W
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
40A
Disipación de Potencia
483W
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.4V
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00542