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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF75R12W1T7EB11BPSA1
Código Farnell4588727
Rango de ProductoEasyDUAL Series
También conocido comoFF75R12W1T7E_B11, SP005751880
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 47,000 € |
5+ | 42,830 € |
10+ | 38,660 € |
50+ | 37,890 € |
100+ | 37,110 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF75R12W1T7EB11BPSA1
Código Farnell4588727
Rango de ProductoEasyDUAL Series
También conocido comoFF75R12W1T7E_B11, SP005751880
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector Continua65A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.55V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 7 [Trinchera]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEasyDUAL Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FF75R12W1T7EB11BPSA1 is an EasyDUAL™ 1B, 1200V, 75A common emitter IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT T7, EC7, PressFIT pin and NTC. Suitable for motor drives, air conditioning, auxiliary inverters, servo drives and UPS systems applications.
- Electrical features: VCES = 1200V
- IC nom = 75A/ICRM = 150A
- Overload operation up to 175°C and low VCE,sat
- Mechanical features: high power density, compact design
- Al2O3 substrate with low thermal resistance
- PressFIT contact technology
- 2.5KV AC 1 minute insulation and integrated NTC temperature sensor
- Easy family with 12mm height
- Easy to design, increased power density, best cost-performance and reduced system costs
- 1.55V typ collector-emitter saturation voltage at IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.55V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 7 [Trinchera]
Gama de Producto
EasyDUAL Series
Corriente de Colector Continua
65A
Disipación de Potencia
-
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto