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ZXMHC6A07T8TA
MOSFET Doble, Puente en H, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteZXMHC6A07T8TA
Código Farnell7565020
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,230 € |
| 10+ | 1,690 € |
| 50+ | 1,440 € |
| 200+ | 1,190 € |
| 500+ | 0,961 € |
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteZXMHC6A07T8TA
Código Farnell7565020
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.8A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1.5ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1.5ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de Pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N1.7W
Disipación de Potencia Canal P1.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The ZXMHC6A07T8TA is a 60V Enhancement Mode H-bridge MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.8A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1.5ohm
Número de Pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
1.7W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.8A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1.5ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
1.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454
Trazabilidad del producto