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LVCMOS 1 a 725 MHz, ±10 a ±50 ppm, -55 a +125°C, diferencial, AEC-Q100, VCXO, programabilidad I2C/SPI, reducción EMI

±0,05 a ±2,5 ppm, 1 a 220 MHz, +105 °C, mejor rendimiento dinámico en condiciones difíciles, 1 ppb/°C (dF/dT)

32,768 kHz, ±3 a 75 ppm, CSP de 1,2 mm2, sustitución de cristal, <1 µA de corriente de alimentación, controla múltiples cargas

±5 a ±8 ppb, 1 a 60 MHz, +85 °C, mejor comportamiento dinámico en condiciones difíciles, pendiente de frecuencia de 40 ppt/°C (dF/dT)

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