Cargue sus dispositivos con la tecnología de carga de Infineon
Elija entre una amplia oferta de semiconductores que hacen posible la carga segura y eficiente. Las soluciones de Infineon soportan múltiples aplicaciones de hasta 240 vatios.
Circuitos integrados de carga con cable
Potencia digital XDP™ XDPS2201
Controlador flyback híbrido

El XDP™ XDPS2201 es un controlador digital basado en una topología flyback de medio puente asimétrico. Combina la simplicidad de los flyback tradicionales con el rendimiento de un convertidor resonante. Tal combinación permite la conmutación suave natural para reducir las pérdidas de conmutación, haciendo posibles los diseños de frecuencia de conmutación alta. Asimismo, los XDPS2201 vienen con un controlador de lado alto integrado que ahorra hasta 20 componentes externos. Aproveche una lista de materiales más corta y costes más bajos.
EZ-PD™ PAG1
Chipset QR flyback integrado

- Solución de adaptador de alimentación de 2 chips altamente integrada que incluye controlador SR+PD, todos los circuitos de protección necesarios y controladores FET para accionar los FET primarios, SR y de carga
- EZ-PD™ PAG1P: controlador de arranque primario
- EZ-PD™ PAG1S: controlador del lado secundario
- Flexibilidad para programar el dispositivo según las necesidades del cliente, configurar los parámetros en varias plataformas y actualizar el firmware sobre el terreno
- Lista de materiales reducida
EZ-PD™ CCG3PA
Controlador de puerto USB tipo C altamente integrado

- Admite un puerto USB tipo C y un puerto tipo A
- Admite USB Power Delivery 3.0 PPS
- Admite protocolos heredados, como Qualcomm QC4.0, Apple charging 2.4 A, AFC, BC 1.2, sin coste adicional de la lista de materiales
- Controlador USB-C programable que ofrece la flexibilidad necesaria para implementar funciones personalizadas y actualizar el firmware sobre el terreno
- Integra regulación de tensión y amplificador de detección de corriente
- Integra un regulador tolerante a 30 V
- Protección integrada OVP, OCP, UVP, SCP y VBUS a CC contra cortocircuitos
- Integra un controlador de puerta PFET VBUS
- ESD a nivel de sistema integrado en VBUS, CC y DP/DM
- Encapsulados: QFN de 24 pines y SOIC de 16 pines
- Rango de temperatura industrial de funcionamiento de -40 °C a 105 °C
EZ-PD™ CCG3PA-NFET
Controlador de puerto USB tipo C altamente integrado con controlador de puerta NFET integrado

- Admite un puerto USB tipo-C
- Admite USB Power Delivery 3.0 PPS
- Admite protocolos heredados, como Qualcomm QC4.0, Apple charging 2.4 A, AFC, BC 1.2, sin coste adicional de la lista de materiales
- Bucle CC-CV independiente
- Integra controlador de puerta VBUS NFET
- Controlador USB-C programable que ofrece la flexibilidad necesaria para implementar funciones personalizadas y actualizar el firmware sobre el terreno
- Protección contra cortocircuitos en chip OVP, OCP, UVP, SCP y VBUS a CC
- Disponible en QFN de 24 pines
EZ-PD™ CCG7DC
Primer controlador PD de doble puerto del sector + controlador CC-CC

- Integra 2 controladores USB-C PD + 2 controladores CC-CC en un solo chip
- Compatible con el último USB-C PD v3.0 con PPS, QC4+, QC4.0, Samsung AFC, Apple 2.4 A, BCv1.2
- Controlador CC-CC: frecuencia de conmutación configurable de
150 kHZ - 600 kHZ, amplio rango de tensión de entrada de 4V - 24V
(tolerante a 40 V), y frecuencia de espectro ensanchado programable para baja EMI - ARM® Cortex®-M0 con Flash permite a los usuarios implementar funciones personalizadas
- Integra controladores de puerta VBUS NFET, controladores de puerta buck-boost NFET, FET VCONN y amplificador de detección de corriente de lado alto (HSCSA)
- Características de protección: OVP, UVP, SCP, OCP, OTP y VBUS-CC
- Funciones avanzadas: reparto dinámico de carga, actualización firmada del firmware de campo y tensión de entrada buck optimizada para mayor eficiencia
- Encapsulado: QFN de 68 pines (8 mm x 8 mm)
- Tipo de embalaje: bandeja
Circuitos integrados de carga inalámbrica
WLC1115
Transmisor de 15 W

- Transmisor Qi y propietario de hasta 15 W
- USB-PD o entrada CC
- Frecuencia fija, control de tensión variable mediante CC/CC integrado
- Controladores de puerta integrados para inversor de puente completo y CC/CC
- Detección de cuerpos extraños (FOD) adaptativa
- Admite extensiones de carga PPDE
- Utilidad de configuración gráfica con configuración estática
- Biblioteca de software ModusToolbox™
WLC1150
Transmisor de 50 W

- Transmisor Qi y propietario de hasta 50 W
- USB-PD o entrada CC
- Frecuencia variable, control de fase y control de tensión opcional mediante USB-PD/PPS
- Controladores de puerta integrados para el inversor de puente completo y la alimentación del ventilador
- Detección de cuerpos extraños (FOD) adaptativa
- Admite mensajes de proveedor con receptor de Infineon
- Utilidad de configuración gráfica con configuración FOD estática, dinámica y actualizada
- Biblioteca de software ModusToolbox™
Interruptores de alta y baja tensión
Etapa de potencia integrada CoolGaN™ de 600 V
Etapa de potencia integrada basada en GaN

Conmutador GaN de última generación de Infineon con controladores dedicados en un diseño de etapa de potencia de medio puente con una solución de encapsulado QFN térmicamente mejorada.
- Clase de tensión: 600 V
- Encapsulado: QFN-28
- Resistencia en estado conductor:
140 - 500 mΩ RDS(on) - Ventajas principales:
- Comportamiento de conmutación superior
- Eficiencia máxima
- Factores de forma compactos
- Diseños ligeros
HEMT CoolGaN™ de GIT 600 V
Interruptores de alta tensión basados en GaN

- Clase de tensión: 600 V
- Encapsulados pequeños: ThinPAK 5x6, DFN 8x8, TO-sin terminales, DSO-20-85, DSO-20-87
- Resistencia en estado conductor:
70 - 340 mΩ RDS(on) - Ventajas principales:
- Excelente rendimiento
- Densidad de potencia máxima
- Resistencia dinámica superior en estado encendido
- Baja carga de puerta que permite el encendido con baja corriente
MOSFET CoolMOS™ SJ
Interruptores de alta tensión basados en silicio

- Clases de tensión: 600 V, 650 V, 700 V
- Encapsulados pequeños: SOT-223, TO-220 FP, ThinPAK8x8, DPAK
- Ventajas principales:
- precio competitivo
- excelente facilidad de uso y rendimiento térmico
- alta eficiencia
- buena EMI
MOSFET de potencia OptiMOS™
Conmutadores de carga de baja tensión y dispositivos de rectificación síncrona

- Clases de tensión: 25 V – 150 V
- Encapsulados pequeños: PQFN 3,3x3,3, Super-SO8
- Ventajas principales:
- Reducción de costes de la lista de materiales
- Excelente comportamiento térmico
- Relación calidad-precio superior
- Admite los factores de forma más pequeños
Diagramas de bloques
Adaptadores y cargadores USB-C
Cargado inalámbrico

