Infineon

MOSFET de potencia
de uso general de ≤ 250 V y ≥ 500 V : la solución adecuada para su diseño

Infineon se esfuerza por ofrecer a todos los clientes MOSFET de potencia que cumplan todos sus requisitos de diseño, precio y logística. Cumplimos este compromiso a través de nuestra selecta cartera de MOSFET de baja y alta potencia para uso general.

La cartera abarca el rango de baja tensión hasta 250 V y de alta tensión de 500 V a 900 V. Además, los MOSFET de potencia de uso general de Infineon vienen en una amplia gama de encapsulados como SOT-23, PQFN, SuperSO8, TO-252 (DPAK), SOT-223 y TO-220 (FullPAK, FullPAK estrecho).

Aplicaciones objetivo

  • Fuentes de alimentación de modo comnutado
  • Cargadores y adaptadores
  • Iluminación
  • Servidor/telecomunicaciones
  • Fuentes de alimentación TV
  • Aplicaciones de alimentación por baterías
  • Control y controladores de motores
  • Sistemas de gestión de baterías

Facilidad de uso de los MOSFET de Infineon en el desarrollo de productos MOSFET de potencia

Ventajas para el cliente

¿Busca MOSFET de potencia con la flexibilidad necesaria para una amplia gama de aplicaciones? Maximice el valor de su producto final eligiendo a Infineon, un socio fiable que entiende su sistema con experiencia tecnológica. Cumplir sus requisitos individuales de diseño y sistema es nuestra máxima prioridad.

Encapsulados de MOSFET de uso general

MOSFET de baja tensión ≤ 250 V

PQFN 3,3x3,3

Para la mayor eficiencia y gestión de la energía
PQFN 3,3x3,3

SOT-223

La mejor opción para una amplia gama de aplicaciones y circuitos
SOT-223

SOT-23

Encapsulado compacto para aplicaciones de baja potencia
SOT-23

SuperSO8 5x6

Para la mayor eficiencia y gestión de la energía
SuperSO8 5x6

TO-220

Optimizado para aplicaciones de baja frecuencia y alta capacidad de corriente
TO-220

DPAK PQFN

Ideal para aplicaciones de potencia media
DPAK PQFN

TSOP-6

La gama de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente
TSOP-6

MOSFET de alta tensión ≥ 500 V

TO-252 (DPAK)

Ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez
TO-252 (DPAK)

TO-263 (D²PAK)

La tercera serie de CoolMOS™ C3 de Infineon es el 'caballo de batalla' de la cartera
TO-263 (D²PAK)

TO-220

Optimizado para aplicaciones de alta potencia y gran capacidad de corriente
TO-220

TO-220 FP

Para una excelente relación coste-rendimiento y gran fiabilidad
MOSFET de potencia OptiMOS™

TO-220-FP NL

Óptimo para equilibrar alta eficiencia y facilidad de uso en el proceso de diseño
TO-220-FP NL

TO-247

La tercera serie de CoolMOS™ C3 de Infineon es el 'caballo de batalla' de la cartera
TO-247

Productos destacados

MOSFET de baja tensión ≤ 250 V

Compre ahora

Esta selecta cartera de MOSFET de bajo consumo ofrece soluciones sencillas y de precio competitivo con excelente disponibilidad y calidad consolidada.

Encapsulado
Clase de tensión		PQFN 3,3x3,3SOT-223SOT-23SuperSO8 5x6TO-220DPAKPQFN 2x2TSOP-6
-60 VISP25DP06LM
RDS(on) @10 V máx. = 250 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 310 mΩ

ISP25DP06NM
RDS(on) @10 V máx. = 250 mΩ

ISP650P06NM
RDS(on) @10 V máx. = 65 mΩ

ISP75DP06LM
RDS(on) @10 V máx. = 700 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 1 Ω
 ISS55EP06LM
RDS(on) @10 V máx. = 5,5 Ω
RDS(on) @4,5 V máx. = 7 Ω
-30 V IRLML9303
RDS(on) @10 V máx. = 165 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 270 mΩ

IRLML9301
RDS(on) @10 V máx. = 64 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 103 mΩ 		IRFHS9301
RDS(on) @10 V máx. = 37 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 65 mΩ

IRFHS9351
RDS(on) @10 V máx. = 170 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 290 mΩ 		IRFTS9342
RDS(on) @10 V máx. = 40 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 66 mΩ
-20 VIRLML2244
RDS(on) @4,5 V máx. = 54 mΩ

IRLML2246
RDS(on) @4,5 V máx. = 135 mΩ		IRLHS2242
RDS(on) @4,5 V máx. = 31 mΩ		IRLTS2242
RDS(on) @4,5 V máx. = 32 mΩ
20 VIRLML6246
RDS(on) @4,5 V máx. = 46 mΩ

IRLML6244
RDS(on) @4,5 V máx. = 21 mΩ		IRLHS6242
RDS(on) @4,5 V máx. = 11,7 mΩ

IRLHS6276
RDS(on) @4,5 V máx. = 45 mΩ
25 VIRFML8244
RDS(on) @10 V máx. = 24 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 41 mΩ		IRFHS8242
RDS(on) @10 V máx. = 13 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 21 mΩ
30 VIRFHM830
RDS(on) @10 V máx. = 3,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 6 mΩ

ISZ040N03L5IS
RDS(on) @10 V máx. = 4 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 5,7 mΩ

ISZ019N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 1,9 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 2,5 mΩ

ISZ065N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 6,5 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 8,6 mΩ		IRLML0030
RDS(on) @10 V máx. = 27 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 40 mΩ

IRLML6344
RDS(on) @4,5 V máx. = 29 mΩ

IRLML2030
RDS(on) @10 V máx. = 100 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 154 mΩ

IRLML6346
RDS(on) @4,5 V máx. = 63 mΩ		ISC019N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 1,9 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 2,4 mΩ

ISC037N03L5IS
RDS(on) @10 V máx. = 3,7 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 5,2 mΩ

ISC026N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 2,6 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 3,5 mΩ

ISC011N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 1,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 1,4 mΩ

IRFH8307
RDS(on) @10 V máx. = 1,3 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 2,1 mΩ

IRFH8324
RDS(on) @10 V máx. = 4,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 6,3 mΩ

ISC045N03L5S
RDS(on) @10 V máx. = 4,5 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 6,4 mΩ

IRFH8311
RDS(on) @10 V máx. = 2,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 3,2 mΩ

IRFH8318
RDS(on) @10 V máx. = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 4,6 mΩ

IRFH8303
RDS(on) @10 V máx. = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 4,6 mΩ

IRFH8334
RDS(on) @10 V máx. = 9 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 13,5 mΩ

IRFH8325
RDS(on) @10 V máx. = 5 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 7,2 mΩ		IRLB8743
RDS(on) @10 V máx. = 3,2 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 4,2 mΩ

IRLB8314
RDS(on) @10 V máx. = 2,4 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 3,2 mΩ

IRLB8721
RDS(on) @10 V máx. = 8,7 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 16 mΩ

IRLB8748
RDS(on) @10 V máx. = 4,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 6,8 mΩ

IRLB3813
RDS(on) @10 V máx. = 1,95 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 2,6 mΩ 		IRLR8743
RDS(on) @10 V máx. = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 3,9 mΩ

IRLR8726
RDS(on) @10 V máx. = 5,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 8 mΩ

IRFR8314
RDS(on) @10 V máx. = 2,2 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 3,1 mΩ		IRFHS8342
RDS(on) @10 V máx. = 16 mΩ
RDS(on) @4,5 V máx. = 25 mΩ

IRLHS6376
RDS(on) @4,5 V máx. = 63 mΩ
IRLTS6342
RDS(on) @4.5,$2 V máx. = 17.5 mΩ

IRFTS8342
RDS(on) @10 V máx. = 19 mΩ
RDS(on) @4.5,$2 V máx. = 29 mΩ
40 VIRLML0040
RDS(on) @10 V máx. = 56 mΩ
RDS(on) @4.5 V máx. = 78 mΩ
60 VSN7002I
RDS(on) @10 V máx. = 5 Ω
RDS(on) @4,5 V máx. = 7,5 Ω

BSS138I
RDS(on) @10 V máx. = 3,5 Ω
RDS(on) @4,5 V máx. = 6 Ω 		2N7002*
RDS(on) @10 V máx. = 3 Ω
80 VIPP016N08NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 1,6 mΩ

IPP019N08NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 1,9 mΩ

IPP024N08NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 2,4 mΩ

IPP040N08NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 4 mΩ

IPP055N08NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 5,5 mΩ
100 VBSS123I
RDS(on) @10 V máx. = 6 Ω
RDS(on) @4,5 V máx. = 10 Ω

BSS169I*
RDS (on) (@0V) = 12 Ω 		BSS169I*
RDS(on) @10 V máx. = 6 Ω

BSS123I
RDS(on) @10 V máx. = 6 Ω
RDS(on) @4,5 V máx. = 10 Ω		IPP026N10NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 2,6 mΩ

IPP050N10NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 5 mΩ

IPP082N10NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 8,2 mΩ

IPP129N10NF2S*
RDS(on) @10 V máx. = 12,9 mΩ
250 VBSS139I*
RDS (on) (@0 V) = 30 Ω 		BSS139*I
RDS(on) @10 V máx. = 14 Ω

MOSFET de alta tensión ≥ 500 V

Compre ahora

Esta selecta cartera de MOSFET de alta potencia ofrece soluciones sencillas y a precio competitivo con excelente disponibilidad y calidad consolidada.

Encapsulado
Clase de tensión		TO-252
(DPAK)		TO-263
(D²PAK)		TO-220TO-220 FPTO-220 FP NLTO-247
500 VIPD50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPP50R190CE
RDS(on) = 190 mΩ

IPP50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPA50R500CE
RDS(on) = 500 mΩ
600 V / 650 VIPD60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPD60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPD60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ

IPD60R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		SPB11N60C3
RDS(on) = 380 mΩ		SPP20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ		IPA60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPA60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPA60R400CE
RDS(on) = 400 mΩ

IPA65R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		IPAN60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPAN60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPAN60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ		SPW20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ
700 VIPD70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD70R1K4P7S
RDS(on) = 1400 mΩ		IPA70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ		IPAN70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ
800 VSPD06N80C3
RDS(on) = 900 mΩ

IPD80R2K8CE
RDS(on) = 2800 mΩ		SPP17N80C3
RDS(on) = 290 mΩ

SPP04N80C3
RDS(on) = 1300 mΩ		SPA11N80C3
RDS(on) = 450 mΩ

SPA08N80C3
RDS(on) = 650 mΩ		SPW55N80C3
RDS(on) = 85 mΩ
900 VIPD90R1K2C3
RDS(on) = 1200 mΩ		IPB90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPP90R1K2C3
RDS(on) = 1200 mΩ		IPA90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPW90R120C3
RDS(on) = 120 mΩ

Recursos