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STW20NM60
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW20NM60
Código Farnell1752206
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,230 € |
| 10+ | 6,200 € |
| 100+ | 2,980 € |
| 500+ | 2,740 € |
| 1000+ | 2,690 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW20NM60
Código Farnell1752206
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id20A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.25ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia192W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
20A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
192W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.25ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STW20NM60
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006577