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TBAT54S,LM(T
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Serie doble, 35 V, 200 mA, 580 mV, 1 A, 150 °C
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTBAT54S,LM(T
Código Farnell4415815
También conocido comoTBAT54S, TBAT54S,LM
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,162 € |
| 10+ | 0,100 € |
| 100+ | 0,0457 € |
| 500+ | 0,0429 € |
| 1000+ | 0,040 € |
| 5000+ | 0,0286 € |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTBAT54S,LM(T
Código Farnell4415815
También conocido comoTBAT54S, TBAT54S,LM
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoSerie doble
Tensión inversa repetitiva máx.35V
Corriente Directa Promedio200mA
Tensión Directa Máxima580mV
Sobrecorriente Directa1A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoSOT-23
Número de pines3Pins
Tiempo de Recuperación Inversa1.5ns
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Serie doble
Corriente Directa Promedio
200mA
Sobrecorriente Directa
1A
Encapsulado del Diodo
SOT-23
Tiempo de Recuperación Inversa
1.5ns
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tensión inversa repetitiva máx.
35V
Tensión Directa Máxima
580mV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
3Pins
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000009
Trazabilidad del producto