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GT50JR22(STA1,E,S)
IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pines
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteGT50JR22(STA1,E,S)
Código Farnell3872260
También conocido comoGT50JR22, GT50JR22(STA1
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,250 € |
| 10+ | 3,750 € |
| 100+ | 3,730 € |
| 500+ | 2,660 € |
| 1000+ | 2,610 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteGT50JR22(STA1,E,S)
Código Farnell3872260
También conocido comoGT50JR22, GT50JR22(STA1
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua50A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.55V
Disipación de Potencia230W
Tensión Colector-Emisor Máx600V
Encapsulado del TransistorTO-3PN
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
50A
Disipación de Potencia
230W
Encapsulado del Transistor
TO-3PN
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.55V
Tensión Colector-Emisor Máx
600V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto