Toshiba lanza la tercera generación de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V y 1200 V que mejoran la eficiencia y reducen el tamaño en aplicaciones industriales y de energía verde

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V

Estos productos, altamente eficientes y versátiles, se usan en una gran variedad de aplicaciones exigentes, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) para servidores, centros de datos y equipos de comunicación.

También pueden usarse en aplicaciones de energías renovables, como inversores fotovoltaicos y convertidores CC-CC bidireccionales, como los empleados en el cargado de vehículos eléctricos.

Los nuevos TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C y TW107N65C se basan en el avanzado proceso de SiC de tercera generación de Toshiba, que optimiza las estructuras de las células utilizadas en los dispositivos de segunda generación.

Como resultado de este avance, el factor de mérito (FoM) calculado como el producto de la resistencia on (RDS(on)) del drenador de fuente y la carga de drenaje-puerta (Qg) para representar las pérdidas estáticas y dinámicas ha mejorado en cerca de un 80 %. Esto reduce significativamente las pérdidas y permite el desarrollo de soluciones energéticas con mayores densidades de potencia y menores costes de funcionamiento.

Como en el caso de los dispositivos anteriores, los nuevos MOSFET de tercera generación integran una barrera Schottky de SiC con baja tensión directa (VF) de -1,35 V (típicos) para suprimir la fluctuación en RDS(on), mejorando así la fiabilidad.

Los nuevos dispositivos pueden manejar corrientes (ID) de hasta 100 A y tienen valores de RDS(on) de tan solo 15 mΩ. Todos los dispositivos vienen en el encapsulado TO-247 estándar del sector.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V que aprovechan la tecnología de SiC de tercera generación de la empresa para aumentar la eficiencia energética de las aplicaciones industriales de alta tensión.

Se usan en equipos como estaciones de cargado de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación industriales, fuentes de alimentación ininterrumpida y convertidores CC-CC bidireccionales o de medio puente.

Al mejorar el factor de mérito de la resistencia on x carga de drenaje de la puerta (RDS(on) x QGD) en más de un 80 %, la tecnología de SiC más reciente de Toshiba eleva el rendimiento de conducción y conmutación en las topologías de conversión de potencia.

Además, los nuevos dispositivos contienen el innovador diodo de barrera Schottky (SBD) integrado, probado en la generación anterior, que mejora la fiabilidad de los MOSFET de SiC al superar los efectos parasitarios internos para mantener una RDS(on estable en el dispositivo.

Asimismo, los productos tienen un generoso rango de tensión máxima de fuente de puerta de -10 V a 25 V, lo que aumenta la flexibilidad para operar en varios diseños de circuitos y condiciones de aplicación. La tensión de umbral de puerta (VGS(th)) oscila entre 3,0 V y 5,0 V, garantiza un rendimiento de conmutación predecible con una deriva mínima y permite un diseño simple del controlador de puerta.

Los MOSFET de SiC de tercera generación disponibles ahora son los TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C y TW140N120C. Los dispositivos tienen valores RDS(on ) de 15 mΩ a 140 mΩ (típicos, a VGS= 18 V) y valores de corriente de drenaje de 20 A a 100 A (CC a TC=25 °C).

Todos los dispositivos están en plena producción y listos para ser pedidos a los distribuidores en el encapsulado de potencia estándar TO-247.

Características eléctricas de los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V

TW015N65C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V21
Capacitancia de entrada (típica)Ciss-4850pF
TW027N65C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V37
Capacitancia de entrada (típica)Ciss-2288pF
TW048N65C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V65
Capacidad de entrada (típica)Ciss-1362pF
TW083N65C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V113
Capacidad de entrada (típica)Ciss-873pF
TW107N65C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V145
Capacidad de entrada (típica)Ciss-600pF

Características eléctricas de los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V

TW015N120C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V20
Capacidad de entrada (típica)Ciss-6000pF
TW030N120C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V40
Capacidad de entrada (típica)Ciss-2925pF
TW045N120C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V59
Capacidad de entrada (típica)Ciss-1969pF
TW060N120C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V78
Capacidad de entrada (típica)Ciss-1530pF
TW140N120C
CaracterísticasSímboloCondiciónValorUnidad
Resistencia on de la fuente de drenaje (máx.)RDS(ON)|VGS|=18V182
Capacidad de entrada (típica)Ciss-691pF

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650V

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MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200V

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