Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD3NK80Z-1
Código Farnell1752036
Hoja de datos técnicos
2695 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,570 € |
| 10+ | 0,742 € |
| 100+ | 0,712 € |
| 500+ | 0,633 € |
| 1000+ | 0,620 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,57 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD3NK80Z-1
Código Farnell1752036
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)800V
Corriente de Drenaje Continua Id1.25A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3.8ohm
Encapsulado del TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
1.25A
Encapsulado del Transistor
TO-251AA
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
800V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3.8ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.75V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001361
Trazabilidad del producto