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RGT8BM65DGTL1
IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pines
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FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRGT8BM65DGTL1
Código Farnell4365731
Rango de ProductoField Stop Trench Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,140 € |
| 10+ | 1,370 € |
| 100+ | 0,946 € |
| 500+ | 0,801 € |
| 1000+ | 0,670 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRGT8BM65DGTL1
Código Farnell4365731
Rango de ProductoField Stop Trench Series
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua12A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.65V
Disipación de Potencia62W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-252GE
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de ProductoField Stop Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
12A
Disipación de Potencia
62W
Encapsulado del Transistor
TO-252GE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
Field Stop Trench Series
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.65V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000426