Soluciones de infraestructura energética de onsemi

onsemi aprovecha las décadas de experiencia que tiene en tecnologías innovadoras, fiables, altamente eficientes y de calidad de los semiconductores de potencia de última generación para reducir los plazos de desarrollo superando al mismo tiempo la densidad de potencia dentro del presupuesto de pérdida de potencia. Ayudamos a que usted y su equipo de fabricación duerman mejor de noche sabiendo que han contribuido a hacer del mundo un lugar mejor. 

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Productos de SiC altamente optimizados

Aprovechando nuestro liderazgo en MOSFET, la cartera de productos de SiC se ha optimizado con respecto a los requisitos de rendimiento de las aplicaciones finales de las infraestructuras energéticas, gracias a la mejora en las pérdidas de conmutación en condiciones realistas en comparación con la competencia.

2

Módulos de potencia y tecnologías de SiC líderes

La inversión continua en mejoras en la tecnología de encapsulado tiene como resultado alta potencia y alta densidad.

3

Cartera versátil de controladores de puerta

Amplia cartera de controladores de puerta aislados de alta corriente de accionamiento con diversas funcionalidades de seguridad que permiten la integración y la flexibilidad de diseño con los encapsulados estándar del sector.

4

Calidad

Hemos construido una infraestructura para garantizar los más altos niveles de calidad en la fabricación de dispositivos de SiC. Los altos niveles de monitorización de los defectos del cristal, las pruebas de avalancha del 100% de los MOSFET de SiC y el quemado para eliminar los primeros fallos de óxido extrínsecos de los MOSFET de SiC son algunos ejemplos de los procesos introducidos por onsemi para ofrecer los más altos niveles de calidad. 

5

Mayor rapidez de comercialización

El modelado SPICE físico a escala favorece el desarrollo de mejores productos que cumplen con parámetros predeterminados, lo que genera menos iteraciones de diseño y plazos de comercialización más rápidos debido a su precisión y aproximación al rendimiento real. También ofrecemos contenido técnico detallado junto con el apoyo del equipo de ingeniería de aplicaciones para las necesidades de diseño del cliente.

Productos de muestra

Vídeos

Etapa de potencia del cargador rápido CC para vehículos eléctricos de 25kW con módulo de SiC

Los módulos MOSFET de SiC híbridos y completos mejoran el inversor solar.

Seminario virtual disponible a partir del 18 de mayo de 2022

Las tecnologías de carburo de silicio (SiC) de onsemi permiten diseñar los sistemas de infraestructura energética de próxima generación

Puntos clave
En este seminario virtual aprenderá sobre

Los requisitos y retos de diseño de los cargadores rápidos CC, los inversores solares y los sistemas de almacenamiento de baterías.

Presentador
Jon Harper

Técnico del departamento de módulos y discretos industriales de SiC de onsemi

onsemi abarca cuatro soluciones para la infraestructura energética, como estaciones de cargado de vehículos eléctricos, almacenamiento energético/fuente de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores solares, con:

  • 1. MOSFET de SiC
  • 2. Diodos de SiC
  • 3. Controladores de SiC
  • 4. Módulos híbridos de potencia y de SiC
  • 5. IGBT
  • 6. Controladores de puerta con aislamiento galvánico
  • 7. Amplificadores de detección de corriente
  • 8. Amplificadores operacionales de detección de tensión y corriente
  • 9. Reguladores de tensión y LDO
  • 10. Reguladores/convertidores CA-CC, CC-CC

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MOSFET de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
PFC y CC-CCNTBG060N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 60 mΩ, D2PAK-7LCompre ahora
NTBG080N120SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200 V, 80 mΩ, D2PAK-7LCompre ahora
NVBG020N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK-7LCompre ahora
NTBG015N065SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK-7LCompre ahora
NTBG045N065SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 43,5 mΩ, D2PAK-7LCompre ahora
NTH4L022N120M3SMOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200 V, 22 mΩ, TO247-4LDCompre ahora
Potencia auxiliarNTH4L160N120SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200V, 160 mΩ, TO247−4LCompre ahora
NTHL160N120SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200V, 160 mΩ, TO247−3LCompre ahora

Diodos de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
PFC y CC-CCFFSD0465ADiodo de SiC: 650 V, 4 A, DPAKCompre ahora
FFSH30120ADiodo de SiC, 1200 V, 30 A, TO-247-2, diodo schottkyCompre ahora
FFSH3065BDiodo schottky de carburo de silicio 650 V, 30 A, TO247Compre ahora
FFSH40120ADiodo schottky de SiC, 1200 V, 40 ACompre ahora

Controladores de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
PFC y CC-CCFFSD0465ADiodo de SiC: 650 V, 4 A, DPAKCompre ahora
FFSH30120ADiodo de SiC, 1200 V, 30 A, TO-247-2, diodo schottkyCompre ahora
FFSH3065BDiodo schottky de carburo de silicio 650 V, 30 A, TO247Compre ahora
FFSH40120ADiodo schottky de SiC, 1200 V, 40 ACompre ahora

Módulos híbridos de potencia y de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
PFC y CC-CCNXH006P120MNF2Módulos de SiC, MOSFET de SiC en paquete de 2 medios puentes de 1200 V, 6 mohmios , encapsulado F2Compre ahora

IGBT

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
PFC y CC-CCFGHL75T65MQDIGBT: 650 V, 75 A, FS4 de velocidad de conmutación media Compre ahora
FGY75T95SQDTIGBT: zanja de parada de campo de 950 V y 75 ACompre ahora
FGY60T120SQDNIGBT, parada de campo ultra de 1200 V y 60 ACompre ahora

Controladores de puerta con aislamiento galvánico

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Controladores de puertaNCP51705
NCV51705
Controlador de MOSFET de SiC, lado bajo, simple de 6 A de alta velocidadCompre ahora
NCD57000
NCD57001
NCV57000
NCV57001
Controlador de puerta IGBT aislado de alta corriente y alta eficiencia con aislamiento galvánico internoCompre ahora
NCD57080A
NCD57090A
NCV57080A
NCV57090A
Controlador de puerta de alta corriente aisladoCompre ahora
NCD57252
NCV57252
Controlador de puerta IGBT/MOSFET de doble canal aisladoCompre ahora
NCP51561
NCV51561
Controladores MOS/SiC dobles de alta velocidad y 5 kV aisladosCompre ahora

Amplificadores de detección de corriente

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Detección de corrienteNCS214RAmplificador de detección de corriente, 26 V, salida de tensión lado bajo/alto, monitor de derivación de corriente bidireccionalCompre ahora
NCS211RAmplificador de detección de corriente, 26 V, salida de tensión lado bajo/alto, monitor de derivación de corriente bidireccionalCompre ahora

Amplificadores operacionales:

Detección de tensión y corriente
Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Detección de tensiónNCS2333Amplificador operacional de precisión, baja potencia, deriva cero, ajuste de 30 µVCompre ahora
NCS4333Amplificador operacional, ajuste de 30 µV, 0,07 µV/°C, baja potencia, deriva ceroCompre ahora

Reguladores de tensión y LDO

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
LDO de gestión de potenciaNCP164Regulador LDO de 300mA, ultrabajo ruido, alta PSRR con potencia estableCompre ahora
NCP715Regulador LDO, 50 mA, Iq ultrabajaCompre ahora
NCP730Regulador LDO, 150 mA, 38 V, 1 uA IQ, con PGCompre ahora

Reguladores/ convertidores CA-CC, CC-CC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Reguladores CA-CC- CC-CC
NCP4390, FAN7688Controlador avanzado del convertidor resonante LLC de lado secundario con control del rectificador síncronoCompre ahora
NCP3064Convertidor elevador/reductor/inversor, regulador de conmutación, 1,5 A, con función on/offCompre ahora
NCP3237Regulador reductor síncrono integrado de 8 ACompre ahora
Potencia auxiliar
Convertidores CC/CC
FAN6500, NCP3237, FAN49100, FAN49103, FAN53555, FAN5903, FAN5910, FAN48610, FAN53880, FFAN53870, FAN53840, NCP5252, NCP3064, FAN53610Regulador síncrono reductor, elevador, reductor-elevador y PMICCompre ahora
Potencia auxiliar
Reguladores CA-CC - CC/CC
NCP10670Conmutador offline mejorado para fuentes de alimentación robustas y altamente eficientesCompre ahora
FSL336Interruptor de potencia integrado de 650 V con amplificador de error y sin bobinado de polarización para convertidores reductores offline de 9 WCompre ahora
FSL337Interruptor reductor de modo Green FairchildCompre ahora
FSL518A, FSL518HInterruptor offline de 800 V de alto rendimiento con arranque de alta tensión y SenseFETCompre ahora
FSL538A, FSL538HInterruptor offline de 800 V de alto rendimiento con arranque de alta tensión y SenseFETCompre ahora
NCP11184Conmutador offline de 30 W y 800 V con arranque de alta tensiónCompre ahora
NCP11185Conmutador offline de 40 W y 800 V con arranque de alta tensiónCompre ahora
NCP11187Conmutador offline de 50 W y 800 V con arranque de alta tensiónCompre ahora
NCP10670, FSL336, FSL518A, FSL518H, FSL538A, FSL538HConmutadores offline (flyback con interruptor de potencia integrado)Compre ahora

MOSFET de SiC

UPS
Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CANTBG020N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora
NTBG015N065SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora
NTH4L020N120SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200 V, 20 mΩ, TO247−4LCompre ahora
NVBG020N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora

Diodos de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CA
FFSM2065Diodo de carburo de silicio 650 V, 20 A, PQFN 88Compre ahora
FFSH20120Diodo schottky de carburo de silicio 1200 V, 20 ACompre ahora

Módulos híbridos de potencia y de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CANXH100B120H3Q0Módulo integrado de potencia, elevador doble, IGBT de 1200 V y 50 A + diodo de SiC de 1200 V y 20 A.Compre ahora
NXH40B120MNQ1Módulo de MOSFET de SiC completo, MOSFET de SiC de 1200 V y 40 mohm elevador de SiC de tres canales + diodo de SiC de 1200 V y 40 ACompre ahora
NXH80B120MNQ0Módulo de MOSFET de SiC completo, MOSFET de SiC de 1200 V y 80 mohm elevador de SiC de dos canales + diodo de SiC de 1200 V y 20 ACompre ahora
NXH450B100H4Q2F2Módulos híbridos de Si/SiC, IGBT de 1000 V y 150 A elevador simétrico de 3 canales, diodo de SiC de 1200 V y 30 ACompre ahora

IGBT

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
IGBT de 650 V FS4
CC/CA
FGH40T65SQD-F155IGBT FS 4Compre ahora
NGTB25N120FL3IGBT, parada de campo ultra 1200 V, 25 ACompre ahora
NGTB40N120S3IGBT de 1200 V, 40 A, VF baja, FSIIICompre ahora

Controladores de puerta con aislamiento galvánico

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Controladores de puertaNCP51705
NCV51705
Controlador de MOSFET de SiC, lado bajo, simple de 6 A de alta velocidadCompre ahora
NCD57000
NCD57001
NCV57000
NCV57001
Controlador de puerta IGBT aislado de alta corriente y alta eficiencia con aislamiento galvánico internoCompre ahora
NCD57080A
NCD57090A
NCV57080A
NCV57090A
Controlador de puerta de alta corriente aisladoCompre ahora
NCD57252
NCV57252
Controlador de puerta IGBT/MOSFET de doble canal aisladoCompre ahora
NCP51561
NCV51561
Controladores MOS/SiC dobles de alta velocidad y 5 kV aisladosCompre ahora

Reguladores/ convertidores CA-CC, CC-CC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Reguladores CC-CC
NCP3237Regulador reductor síncrono integrado de 8 ACompre ahora
Potencia auxiliar
Convertidores CC/CC
FAN6500, NCP3237, FAN49100, FAN49103, FAN53555, FAN5903, FAN5910, FAN48610, FAN53880, FFAN53870, FAN53840, NCP5252, NCP3064, FAN53610Regulador síncrono reductor, elevador, reductor-elevador y PMICCompre ahora
Potencia auxiliar
Reguladores CA-CC - CC/CC
NCP10670, FSL336, FSL518A, FSL518H, FSL538A, FSL538HConmutadores offline (flyback con interruptor de potencia integrado)Compre ahora

MOSFET de SiC

UPS
Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CANTBG020N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora
NTBG015N065SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora
NTH4L020N120SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1200 V, 20 mΩ, TO247−4LCompre ahora
NVBG020N090SC1MOSFET de carburo de silicio, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7LCompre ahora

Diodos de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CA
FFSM2065Diodo de carburo de silicio 650 V, 20 A, PQFN 88Compre ahora
FFSH20120Diodo schottky de carburo de silicio 1200 V, 20 ACompre ahora

Módulos híbridos de potencia y de SiC

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
CC/CANXH100B120H3Q0Módulo integrado de potencia, elevador doble, IGBT de 1200 V y 50 A + diodo de SiC de 1200 V y 20 A.Compre ahora
NXH40B120MNQ1Módulo de MOSFET de SiC completo, MOSFET de SiC de 1200 V, 40 mohm elevador de SiC de tres canales + diodo de SiC de 1200 V, 40 A Compre ahora
NXH80B120MNQ0Módulo de MOSFET de SiC completo, MOSFET de SiC de 1200 V, 80 mohm elevador de SiC de dos canales + diodo de SiC de 1200 V, 20 A Compre ahora
NXH450B100H4Q2F2Módulos híbridos de Si/SiC, IGBT de 1000 V y 150 A elevador simétrico de 3 canales, diodo SiC de 1200 V y 30 ACompre ahora

Controladores de puerta con aislamiento galvánico

Nombre del productoCódigo FarnellDescripciónCompre ahora
Controladores de puertaNCD57080A
NCV57080A
Controlador de puerta de alta corriente aisladoCompre ahora
NCD57090A
NCV57090A
Controlador de puerta de alta corriente aisladoCompre ahora
NCD57252
NCV57252
Controlador de puerta IGBT/MOSFET de doble canal aisladoCompre ahora
NCP51561
NCV51561
Controladores MOS/SiC dobles de alta velocidad y 5 kV aisladosCompre ahora
NCD57200
NCD57201
NCV57200
NCV57201
Controlador de puerta de medio puente (lado alto aislado y lado bajo no aislado)Compre ahora