Generalidades

Farnell en asociación con Nexperia, experto en componentes MOSFET y discretos y circuitos integrados analógicos y lógicos, presentan los FET de GaN de gran eficiencia con rendimiento líder del sector.

La eficiencia energética es uno de los principales desafíos del sector y un impulso para la innovación. La presión social y la legislación requieren mayor eficiencia en la conversión y el control de la potencia. Para algunas aplicaciones son cruciales la eficiencia de conversión y la densidad de la potencia para su adopción en el mercado. Algunos ejemplos incluyen la tendencia a la electrificación en la automoción y la alta tensión en los sectores de las comunicaciones y la infraestructura industrial. Los FET de GaN hacen posibles sistemas más pequeños, rápidos, fríos y ligeros con costes generales inferiores del sistema.

La alimentación de la infraestructura del IoT

Para proporcionarnos conectividad de nube constante, el procesamiento de potencia y el almacenamiento que exigimos requiere mucha energía. Las fuentes de alimentación especializadas de gran eficiencia son necesarias para lograr la reducción en las pérdidas de alimentación en los sectores de la automatización industrial, los centros de datos y la infraestructura de telecomunicaciones. Por eso la densidad mejorada y la conversión de potencia eficiente que ofrece el GaN-en-Si son cruciales.

La electrificación del tren de potencia

La importancia de cada gramo de CO₂ que producen los coches modernos está impulsando el cambio a la electrificación de los vehículos. Desde los vehículos híbridos hasta aquellos totalmente eléctricos, se espera que la electrificación del tren de potencia domine el crecimiento del mercado de los semiconductores de potencia en las próximas dos décadas. La densidad de la potencia y la eficiencia de los GaN-en-Si desempeñarán un papel destacado en este espacio, específicamente para los cargadores en placa (cargado VE), los convertidores CC-CC y los inversores de tracción del controlador de motor (inversores de tracción xVE).


Productos

Los productos FET de GaN actuales de Nexperia y su mapa de ruta de desarrollo se centran en ofrecer productos fiables para apoyar las aplicaciones tanto de automoción como de infraestructura del IoT. La tecnología de procesos de GaN se basa en procesos de producción exhaustivos y comprobados que ahora generan los FET de GaN de potencia líderes del sector.

Características y ventajas:

  • Accionamiento de puerta fácil, RDS(on) baja, conmutación rápida
  • Excelente diodo (Vf baja), Qrr baja
  • Alta robustez
  • RDS(on) dinámica baja
  • Conmutación estable
  • Inmunidad resistente al rebote entre puertas (Vth ~ 4 V)

GAN063-650WSA GGAN041-650WSB
VDS650 V650 V
RDS(on) máx60 mΩ41 mΩ
EncapsuladoTO-247 (SOT429)TO-247 (SOT429)
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Próximamente disponible
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Desarrollando el futuro

Nexperia mantiene su enfoque en el desarrollo de los FET de GaN de potencia de excelente fiabilidad y calidad con desarrollo continuo en:

  • Cualificación para automoción
  • De 900 V en adelante
  • Soluciones de encapsulado de medio puente
  • Embalaje de adhesión por clip
  • Chip desnudo

Más información

Manual de aplicaciones de MOSFET y FET de GaN


Seminario virtual element14: Diseño de fuentes de alimentación industriales resistentes y de gran eficiencia con los FET de GaN de Nexperia


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  • Las características de la tecnología cascode de Nexperia
  • Las ventajas de las topologías de conmutación duras y suaves
  • Estudio de caso: PFC Totem Pole de 4 kW
  • Los productos de GaN de Nexperia y las próximas innovaciones

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