Imprimir página
IRFS4229TRLPBF
MOSFET de Potencia, Interruptor PDP, Canal N, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK)
4355 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,980 € |
| 10+ | 2,700 € |
| 50+ | 2,330 € |
| 100+ | 1,960 € |
| 250+ | 1,920 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
3,98 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFS4229TRLPBF
Código Farnell2803424
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoIRFS4229TRLPBF, SP001557392
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)250V
Corriente de Drenaje Continua Id45A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.048ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia330W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
HEXFET® Power MOSFET is specially designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panel. It features low EPULSE rating to reduce power dissipation in PDP sustain, energy recovery and pass switch applications.
- Advanced process technology
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall & rise times for fast switching
- 175°C operating junction temperature for improved ruggedness
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
45A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
250V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.048ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IRFS4229TRLPBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto