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IGT65R025D2XTMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT65R025D2XTMA1
Código Farnell4640393RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 7,920 € |
| 50+ | 7,410 € |
| 100+ | 6,880 € |
| 250+ | 6,740 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT65R025D2XTMA1
Código Farnell4640393RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id70A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.03ohm
Carga de Puerta Típica11nC
Número de pines8Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.03ohm
Número de pines
8Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
70A
Carga de Puerta Típica
11nC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto