“CoolGaN es la mejor opción. ¿Por qué?”

Si reconoce a Infineon como el fabricante líder de MOSFET de potencia de calidad superior, ¡está en lo cierto!

Pero esa es tan solo parte de la historia. Además de sus interruptores de alta tensión, Infineon ofrece circuitos integrados de controlador de puerta de compatibilidad perfecta con todo tipo de configuraciones, frases de tensión, niveles de aislamiento, características de protección y opciones de encapsulado. Como tal, los clientes se benefician de una conmutación más rápida y un rendimiento optimizado del sistema en general.

Los circuitos integrados de controladores de puerta de Infineon aprovechan la experiencia en aplicaciones y los conocimientos avanzados de la empresa, que garantizan su idoneidad para una multitud de aplicaciones.

Dada la tendencia a una mayor densidad de potencia en el mercado de SMPS de alta potencia, se necesitan interruptores mas rápidos. Del mismo modo se deben encontrar formas de enfrentar los desafíos de diseño, como parásitos, limitaciones de la placa y posibles problemas térmicos. Con sus MOSFET superjunction CoolMOS™ (tecnología de silicio) y la nueva cartera de CoolGaN™ (tecnología de nitruro de galio), Infineon ofrece soluciones para responder exactamente a esos desafíos.

¡Si trabaja con nuestros productos, podrá aprovechar la conveniencia de nuestra experiencia!

Interruptores y controladores basados en tecnología de nitruro de galio

HEMT CoolGaN™ de 600 V de modo mejorado: la mayor eficacia en los más altos niveles de densidad en SMPS

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Con CoolGaN™ Infineon lanza una cartera de transistores de GaN de alta movilidad de electrones de modo mejorado (e‑mode HEMT) con rendimiento líder del sector, que permite crear sistemas resistentes y fiables a un atractivo precio del sistema en general. Los transistores CoolGaN™ se han construido con la tecnología GaN más fiable y están creados a medida para ofrecer los niveles más altos de eficacia e intensidad del mercado en fuentes de alimentación de modo conmutado. El enfoque de calificación por aplicación va más allá que el de otros productos de GaN en el mercado.

Circuitos integrados de controladores de puerta EiceDRIVER™ de GaN de alta tensión: controladores de puerta de aislamiento galvanizado de un canal para HEMT de GaN de modo mejorado

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La cartera de interruptores CoolGaN™ recién lanzada de Infineon es fácil de usar gracias a una cartera de circuitos integrados de controlador de puerta totalmente compatible. Al introducir la gama EiceDRIVER™ de GaN, Infineon amplía su variedad de circuitos integrados de controlador de puerta aislados galvánicamente de un canal. Los nuevos componentes con alta corriente de puerta para encendido rápido y topología de controlador de puerta resistente se han desarrollado para optimizar el rendimiento de los HEMT de GaN de modo mejorado con puerta no aislada (características de entrada de diodo) y tensión de umbral bajo. Como resultado se ha reducido de forma significativa la complejidad del controlador (esfuerzo medio para incorporar en los diseños), ya que en no son necesarios más controladores a medida.

Interruptores y controladores basados en tecnología de silicio

MOSFET superjunction CoolMOS™ de fuente Kelvin

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Con los productos MOSFET SJ CoolMOS™, Infineon está marcando nuevas pautas de eficiencia energética, densidad de potencia y facilidad de uso, exhibiendo cifras significativas en cuanto a pérdidas de control, conducción y conmutación.

La cartera más amplia del mercado de MOSFET superjunction basados en silicio cuenta con una impresionante granularidad RDS(on), RDS(on) / encapsulado de primera categoría, la más alta eficiencia con una relación precio-rendimiento optimizada, y EOSS y Qg bajos.

MOSFET SJ CoolMOS™ G7 de 600 V y diodo Schottky CoolSiC™ G6 en encapsulado DPAK doble (DDPAK)

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Con los MOSFET SJ CoolMOS™ G7 de 600 V y diodos Schottky CoolSiC™ G6 de 650 V, ambos disponibles en encapsulado DDPAK, Infineon ofrece una solución de sistema para topologías de conmutación pesada y alta corriente como FPC y una solución de eficiencia especializada para topologías LLC. Al combinar el DDPAK con la gama de controladores de puerta de lado bajo y canal único de Infineon con entradas realmente diferenciales (1EDN TDI), se hacen posibles las soluciones de sistemas optimizadas para diseños de alta potencia.

Circuitos integrados de controladores de puerta no aislados de lado bajo y canal único EiceDRIVER™ 1EDN7550 y 1EDN8550 con entradas realmente diferenciales

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Los circuitos integrados de controladores de puerta no aislados de lado bajo y canal único EiceDRIVER™ 1EDN7550 y 1EDN8550 recién lanzados de Infineon tienen entradas realmente diferenciales. Por lo tanto, son óptimos para SMPSP con desafíos presentados por cambios en la conexión a tierra. Típicamente sus entradas de señal de control son en gran parte independientes del potencial de conexión a tierra. Solo la diferencia de tensión entre los contactos de entrada es relevante. Esto previene la activación falsa de los MOSFET de potencia.