Rendimiento superior fiable y rentable

Megatendencias como la digitalización, la urbanización y la electromovilidad conducen a un mayor consumo energético, lo que hace que la eficiencia energética esté en la mira. Infineon responde ofreciendo soluciones de sistema completas en un solo lugar, basándose no solo en su renombrada tecnología de silicio, sino también en innovadores dispositivos de banda ancha prohibida como los MOSFET CoolSiC™ a base de SiC.

La tecnología de MOSFET CoolSiC™ de Infineon aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio (SiC), como la capacidad de operar a tensiones, temperatura y frecuencias más elevadas. Añadiendo características únicas, Infineon consigue aumentar aún más el rendimiento del dispositivo. Al aplicar la tecnología superior TRENCH de Infineon, el uso de MOSFET CoolSiC™ garantiza menores pérdidas en la aplicación y mayor fiabilidad en el funcionamiento.

Los MOSFET CoolSiC™ son aptos para las altas temperaturas y las operaciones adversas. El resultado es la posibilidad de desplegar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.

Ventajas en la aplicación

UPS

Soporta la mayor eficiencia operativa 24/7 y reduce las pérdidas de energía en un 50 %

Fuente de alimentación de servidores

Ahorro en los costes operativos gracias al aumento de la eficiencia energética con hasta un 30 % menos de pérdidas

Cargado de vehículos eléctricos rápido

Los vehículos eléctricos se cargan dos veces más rápido

Almacenamiento energético

Las pérdidas se reducen en un 50 % para energía adicional

Fuente de alimentación de telecomunicaciones

Diseño simplificado y adaptado a las condiciones adversas del 5G

Inversores solares

Duplican la potencia del inversor con el mismo peso

Nueva variante de encapsulado: MOSFET CoolSiC™ de 650 V en D2PAK de 7 pines

  • Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes más altas
  • Diodo de cuerpo rápido resistente a la conmutación con baja Qrr
  • Fiabilidad de óxido de puerta superior
  • Tj,max=175 °C y excelente comportamiento térmico
  • Menor dependencia de la RDS(on) y de la corriente de impulso a la temperatura
  • Aumento de las capacidades de avalancha
  • Compatible con controladores estándar (tensión de control recomendada: 0V-18V)
  • La fuente Kelvin ofrece pérdidas de conmutación hasta 4 veces menores

MOSFET CoolSiC de 650 V

El CoolSiC™ de 650 V está construido en base a la tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon por más de 20 años. Aprovechando las características del material SiC de banda ancha prohibida, el MOSFET CoolSiC™ de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Adecuado para altas temperaturas y para las operaciones más duras, permite el despliegue simplificado y rentable de la más alta eficiencia del sistema.

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MOSFET de potencia CoolSiC™

Código FarnellEspecificaciónEncapsuladoCompre ahora
IMBG65R022M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 22 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R030M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 30 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R039M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 39 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R048M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 48 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R057M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 57 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R072M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 72 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R083M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 83 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R107M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 107 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
IMBG65R163M1HMOSFET de zanja CoolSiC™ de 650 V y 163 mΩ a base de SiCTO-263-7Compre ahora
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EiceDRIVER™ 1EDN TDI

Supere los retos de desplazamiento de tierra en su diseño con los controladores de puerta EiceDRIVER™ de canal único no aislados de Infineon, que tienen entradas realmente diferenciales. Complementan perfectamente a los MOSFET CoolSiC™.

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EiceDRIVER™ 2EDi

DSO de 150mil y 16 pines La gama de productos EiceDRIVER™ 2EDi de controladores de puerta de doble canal aislados está diseñada para un funcionamiento resistente en medios puentes MOSFET CoolMOS™, CoolSiC™ y OptiMOS™ de alto rendimiento.

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Controladores de puerta para MOSFET CoolSiC™

Código FarnellEspecificaciónEncapsuladoCompre ahora
2EDF9275FControlador de puerta de doble canal con aislamiento de entrada a salida funcional y UVLO de 13 V10mmx6mm NB-DSO16Compre ahora
1EDB9275FControlador de puerta de canal único aislado con aislamiento de entrada a salida funcional y UVLO de 14,4 VPG-DSO 8Compre ahora
1EDN7550BControlador de puerta de canal único no aislado con entradas realmente diferencialesSOT-23Compre ahora
2EDS9265HControladores de puerta de doble canal con aislamiento de entrada a salida reforzado y UVLO de 13 V10.3mmx10.3mm WB-DSO16Compre ahora

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Unidad PFC de modo de conducción continua (CCM) y 3300 W bidireccional de polo tótem que usa CoolSiC™ de 650 V, CoolMOS™ C7 de 600 V y control digital con XMC™

Esta placa de evaluación es una solución de sistema para corrector del factor de potencia (PFC) de tipo tótem sin puente con capacidad de potencia bidireccional. La placa de evaluación EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC se dirige a aplicaciones que requieren gran eficiencia (~99 %) y alta densidad de potencia (72 W/in3), como los servidores de gama alta y las telecomunicaciones. Además, la capacidad de flujo de potencia bidireccional permite usar este diseño en cargadores de baterías o en aplicaciones de formación de baterías.

Características principales

  • PFC de polo tótem sin puente de alta eficiencia
  • Alta densidad de potencia
  • Habilitada por MOSFET CoolSiC™ de 650 V
  • Controlada digitalmente con XMC1404
  • Capacidad bidireccional (funcionamiento CC-CA)

Ventajas

  • Cerca de un 99 % de eficiencia
  • Factor de forma compacto (72 W/in3)
  • Número de componentes reducido
  • Funcionamiento bidireccional (control digital)

Aplicaciones potenciales

  • Sistemas de almacenamiento energético
  • Formación de baterías
  • Cargado
  • Cargado de vehículos eléctricos
  • Electromovilidad
  • Alimentación industrial
  • Fuentes de alimentación (SMPS)
  • Robótica: vehículos guiados automáticamente
  • Telecomunicaciones

EVAL_3KW_50V_PSU

Solución SMPS de 3 kW dirigido a las especificaciones del rectificador Open Compute V3

Este diseño presenta una solución de sistema completa de Infineon para una fuente de alimentación (PSU) de 3 kW que se ajusta a las especificaciones del rectificador OCP V3 para servidores y centros de datos. La fuente de alimentación tiene un convertidor tótem sin puente CA-CC en el extremo delantero, seguido de un convertidor LLC de medio puente aislado CC-CC en el extremo trasero. El convertidor tótem frontal proporciona la corrección de factor de potencia (PFC) y la distorsión armónica total (THD). El convertidor LLC ofrece aislamiento de seguridad y tensión de salida muy regulada. 

Características principales

  • Fuente de alimentación completa dirigida a las especificaciones del rectificador Open Compute V3
  • Eficiencia máxima muy alta
  • PFC tótem sin puente con CoolSiC™
  • LLC de medio puente con CoolMOS™ y OptiMOS™
  • Control completamente digital con microcontroladores XMCTM

Ventajas

  • Factor de forma del rectificador Open Compute V3 (PSU) (dimensiones totales)
  • 95 % de eficiencia máxima (ventilador no incluido) a 230 VAC
  • Muy alta eficiencia combinando CoolSiC™, CoolMOS™ y OptiMOS™
  • Tiempo de retención de 20 ms a plena carga
  • Prueba de preconformidad EMC clase B

Aplicaciones potenciales

  • Servidores y centros de datos