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BSS8402DW-7-F
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 115 mA, 130 mA, 13.5 ohm
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS8402DW-7-F
Código Farnell1713834
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 50+ | 0,387 € |
| 100+ | 0,249 € |
| 500+ | 0,185 € |
| 1500+ | 0,168 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS8402DW-7-F
Código Farnell1713834
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P130mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N13.5ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P10ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N200mW
Disipación de Potencia Canal P200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSS8402DW-7-F is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, complementary pair
- Drain source voltage is 60V at TA = +25°C, P/N channel
- Continuous drain current is 115mA at TA = +25°C, P/N channel
- Drain source on state resistance is 13.5ohm at TA = +25°C, P/N channel
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C, P/N channel
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
130mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
10ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
200mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
13.5ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BSS8402DW-7-F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto