Imprimir página
BSS138DWQ-7
MOSFET Doble, Canal N, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS138DWQ-7
Código Farnell3944012
Hoja de datos técnicos
4940 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,448 € |
| 10+ | 0,280 € |
| 100+ | 0,178 € |
| 500+ | 0,137 € |
| 1000+ | 0,115 € |
| 5000+ | 0,0972 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,24 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS138DWQ-7
Código Farnell3944012
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N50V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N200mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P200mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1.4ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1.4ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N200mW
Disipación de Potencia Canal P200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
200mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1.4ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
200mW
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
200mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1.4ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto