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BSP75G
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal N, 60 V, 1.4 A, 0.55 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1000+ | 0,655 € |
| 3000+ | 0,596 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSP75G
Código Farnell4318342
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id1.4A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.55ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.1V
Disipación de Potencia2.5W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
1.4A
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.55ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00014
Trazabilidad del producto