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BAV199-7-F
Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 85 V, 140 mA, 1.1 V, 3 µs, 4 A
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBAV199-7-F
Código Farnell3127216
Rango de ProductoBAV19
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,165 € |
| 50+ | 0,0691 € |
| 100+ | 0,0631 € |
| 500+ | 0,0438 € |
| 1500+ | 0,032 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBAV199-7-F
Código Farnell3127216
Rango de ProductoBAV19
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoSerie doble
Tensión inversa repetitiva máx.85V
Corriente Directa Promedio140mA
Tensión Directa Máxima1.1V
Tiempo de Recuperación Inversa3µs
Sobrecorriente Directa4A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoSOT-23
Número de pines3Pins
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de ProductoBAV19
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BAV199-7-F is a very low leakage current diode.
- RMS reverse voltage is 60V at TA = +25°C
- Forward continuous current is 140mA (double diode) at TA = +25°C
- Repetitive peak forward current is 500mA at TA = +25°C
- Non-repetitive peak forward surge current is 4.0A at t = 1.0µs, TA = +25°C
- Power dissipation is 250mW
- Reverse breakdown voltage is 85V min at IR = 100µA, TA = +25°C
- Forward voltage is 0.90V max at IF = 1.0mA, TA = +25°C
- Reverse recovery time is 3.0ns max at IF = IR = 10mA, IRR = 0.1 x IR, RL = 100 ohm, TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Serie doble
Corriente Directa Promedio
140mA
Tiempo de Recuperación Inversa
3µs
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
BAV19
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión inversa repetitiva máx.
85V
Tensión Directa Máxima
1.1V
Sobrecorriente Directa
4A
Encapsulado del Diodo
SOT-23
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BAV199-7-F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000045
Trazabilidad del producto