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PMV130ENEAR
PMV130ENEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

2469648

MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

NEXPERIA

Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
Corriente de Drenaje Continua Id 2.1A

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NEXPERIA 

MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
Corriente de Drenaje Continua Id 2.1A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.095ohm
Encapsulado del Transistor SOT-23
Montaje de Transistor Montaje Superficial
Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 1.6V
Disipación de Potencia Pd 460mW
Número de Pines 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
Rango de Producto -
Estándar de Certificación para Automoción -

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5+ 0,33 € Precio para 25+ 0,293 € Precio para 100+ 0,134 € Precio para 250+ 0,126 € Precio para 500+ 0,124 € Precio para 1000+ 0,0888 € Precio para 5000+ 0,0849 € Precio para Más precios...

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2469648RL en Re-reeling

5+ 0,33 € 25+ 0,293 € 100+ 0,134 € 250+ 0,126 € 500+ 0,124 € 1000+ 0,0888 € 5000+ 0,0849 € Más precios...

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Canal N 40V 2.1A 0.095ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 1.6V 460mW 3Pines 150°C - -
PMV250EPEAR
PMV250EPEAR - MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

2469650

MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

NEXPERIA

Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
Corriente de Drenaje Continua Id 1.5A

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NEXPERIA 

MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.5A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.18ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 480mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal P 40V 1.5A 0.18ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 1.7V 480mW 3Pines 150°C - -
    PMV280ENEAR
    PMV280ENEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    2777604

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.1A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.1A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.285ohm
    Encapsulado del Transistor TO-236AB
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 580mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    5+ 0,347 € Precio para 25+ 0,332 € Precio para 100+ 0,179 € Precio para 250+ 0,177 € Precio para 500+ 0,176 € Precio para 1000+ 0,107 € Precio para 5000+ 0,0956 € Precio para Más precios...

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    2777604RL en Re-reeling

    5+ 0,347 € 25+ 0,332 € 100+ 0,179 € 250+ 0,177 € 500+ 0,176 € 1000+ 0,107 € 5000+ 0,0956 € Más precios...

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    Canal N 100V 1.1A 0.285ohm TO-236AB Montaje Superficial 10V 1.7V 580mW 3Pines 150°C - AEC-Q101
    PMV37ENEAR
    PMV37ENEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    3212678

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.5A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.5A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.037ohm
    Encapsulado del Transistor TO-236AB
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 710mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    5+ 0,337 € 25+ 0,314 € 100+ 0,166 € 250+ 0,161 € 500+ 0,16 € 1000+ 0,103 € 5000+ 0,0967 € Más precios...

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    Canal N 60V 3.5A 0.037ohm TO-236AB Montaje Superficial 10V 1.7V 710mW 3Pines 175°C - AEC-Q101
    PSMN0R9-30YLDX
    PSMN0R9-30YLDX - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Montaje Superficial

    2449086

    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 650µohm
    Encapsulado del Transistor SOT-1023
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.5V
    Disipación de Potencia Pd 349W
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    4.689 En stock

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    Sustitución recomendada para:2449086
    2449086RL en Re-reeling

    1+ 1,79 € 10+ 1,39 € 100+ 0,987 € 250+ 0,917 € 500+ 0,846 € 1000+ 0,619 € 5000+ 0,591 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 30V 100A 650µohm SOT-1023 Montaje Superficial 10V 1.5V 349W 4Pines 175°C - -
    STP150N10F7
    STP150N10F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    2807212

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    100 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    286 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 3/05/21

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0036ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4.5V
    Disipación de Potencia Pd 250W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto STripFET F7 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    386 En stock

    1+ 2,75 € Precio para 10+ 2,16 € Precio para 100+ 1,71 € Precio para 250+ 1,58 € Precio para 500+ 1,44 € Precio para 1000+ 1,19 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    1+ 2,75 € 10+ 2,16 € 100+ 1,71 € 250+ 1,58 € 500+ 1,44 € 1000+ 1,19 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 100V 110A 0.0036ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4.5V 250W 3Pines 175°C STripFET F7 Series -
    BUK6D120-60PX
    BUK6D120-60PX - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    2910416RL

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 8A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

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    30 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    671 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 8A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.095ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-1220
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2.5V
    Disipación de Potencia Pd 15W
    Número de Pines 6Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    701 En stock

    150+ 0,233 € Precio para 250+ 0,231 € Precio para 500+ 0,215 € Precio para 1000+ 0,194 € Precio para 5000+ 0,171 € Precio para

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Re-reeling
    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto

    100+ 0,233 € 250+ 0,231 € 500+ 0,215 € 1000+ 0,194 € 5000+ 0,171 €

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    Min: 150 Mult: 1
    Canal P 60V 8A 0.095ohm SOT-1220 Montaje Superficial 10V 2.5V 15W 6Pines 175°C - AEC-Q101
    BUK6D43-40PX
    BUK6D43-40PX - MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    2910418

    MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 14A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

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    50 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    878 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 14A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.03ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-1220
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2V
    Disipación de Potencia Pd 15W
    Número de Pines 6Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    5+ 0,481 € Precio para 25+ 0,453 € Precio para 100+ 0,247 € Precio para 250+ 0,221 € Precio para 500+ 0,196 € Precio para 1000+ 0,17 € Precio para 5000+ 0,157 € Precio para Más precios...

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    2910418RL en Re-reeling

    5+ 0,481 € 25+ 0,453 € 100+ 0,247 € 250+ 0,221 € 500+ 0,196 € 1000+ 0,17 € 5000+ 0,157 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    Canal P 40V 14A 0.03ohm SOT-1220 Montaje Superficial 10V 2V 15W 6Pines 175°C - AEC-Q101
    PMT280ENEAX
    PMT280ENEAX - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

    2910422

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.5A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.5A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.285ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-223
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 770mW
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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Canal N 100V 1.5A 0.285ohm SOT-223 Montaje Superficial 10V 1.7V 770mW 4Pines 150°C - AEC-Q101
    PMV50EPEAR
    PMV50EPEAR - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    2900300

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4.2A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4.2A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.035ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
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    Canal P 30V 4.2A 0.035ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 2V 480mW 3Pines 150°C - AEC-Q101
    PMV65XPEAR
    PMV65XPEAR - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    2498581

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.8A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
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    Canal P 20V 2.8A 0.067ohm TO-236AB Montaje Superficial 4.5V 1V 480mW 3Pines 150°C - -
    PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX - MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Montaje Superficial

    2449088

    MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 930µohm
    Encapsulado del Transistor SOT-669
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 198W
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    Canal N 40V 100A 930µohm SOT-669 Montaje Superficial 10V 1.7V 198W 4Pines 150°C - -
    STP110N10F7
    STP110N10F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    2807210

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0051ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4.5V
    Disipación de Potencia Pd 150W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto DeepGATE STripFET VII Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Producto restringido
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    Canal N 100V 110A 0.0051ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4.5V 150W 3Pines 175°C DeepGATE STripFET VII Series -
    BUK6D120-60PX
    BUK6D120-60PX - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    2910416

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 8A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 8A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.095ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-1220
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2.5V
    Disipación de Potencia Pd 15W
    Número de Pines 6Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    1+ 0,574 € 10+ 0,416 € 100+ 0,233 € 250+ 0,231 € 500+ 0,215 € 1000+ 0,194 € 5000+ 0,171 € Más precios...

    Producto restringido
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    Canal P 60V 8A 0.095ohm SOT-1220 Montaje Superficial 10V 2.5V 15W 6Pines 175°C - AEC-Q101
    PMV19XNEAR
    PMV19XNEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    3268027

    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.019ohm
    Encapsulado del Transistor TO-236AB
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 650mV
    Disipación de Potencia Pd 610mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    5+ 0,37 € 25+ 0,342 € 100+ 0,175 € 250+ 0,164 € 500+ 0,145 € 1000+ 0,109 € 5000+ 0,0949 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 30V 6A 0.019ohm TO-236AB Montaje Superficial 4.5V 650mV 610mW 3Pines 175°C - AEC-Q101
    PMV28UNEAR
    PMV28UNEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4.7 A, 0.024 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    2628090

    MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4.7 A, 0.024 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4.7A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4.7 A, 0.024 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4.7A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.024ohm
    Encapsulado del Transistor TO-236AB
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 700mV
    Disipación de Potencia Pd 510mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    258 En stock

    5+ 0,356 € Precio para 25+ 0,34 € Precio para 100+ 0,18 € Precio para 250+ 0,179 € Precio para 500+ 0,145 € Precio para 1000+ 0,11 € Precio para 5000+ 0,096 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,356 € 25+ 0,34 € 100+ 0,18 € 250+ 0,179 € 500+ 0,145 € 1000+ 0,11 € 5000+ 0,096 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 20V 4.7A 0.024ohm TO-236AB Montaje Superficial 4.5V 700mV 510mW 3Pines 150°C - AEC-Q101
    PMV48XPA2R
    PMV48XPA2R - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23

    3361018

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.037ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 8V
    Tensión Umbral Vgs 950mV
    Disipación de Potencia Pd 610mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    5+ 0,249 € Precio para 25+ 0,228 € Precio para 100+ 0,118 € Precio para 250+ 0,111 € Precio para 500+ 0,0991 € Precio para 1000+ 0,0734 € Precio para 5000+ 0,0638 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,249 € 25+ 0,228 € 100+ 0,118 € 250+ 0,111 € 500+ 0,0991 € 1000+ 0,0734 € 5000+ 0,0638 € Más precios...

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    Canal P 20V 4A 0.037ohm SOT-23 - 8V 950mV 610mW 3Pines 175°C - AEC-Q101
    PMV60ENEAR
    PMV60ENEAR - MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial

    3132381

    MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.06ohm
    Encapsulado del Transistor TO-263AB
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.6V
    Disipación de Potencia Pd 615mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    Canal N 40V 3A 0.06ohm TO-263AB Montaje Superficial 10V 1.6V 615mW 3Pines 175°C - AEC-Q101
    PSMN1R8-30MLHX
    PSMN1R8-30MLHX - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 150 A, 0.00176 ohm, LFPAK33, Montaje Superficial

    3268029

    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 150 A, 0.00176 ohm, LFPAK33, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 150A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 150 A, 0.00176 ohm, LFPAK33, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 150A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.00176ohm
    Encapsulado del Transistor LFPAK33
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.73V
    Disipación de Potencia Pd 106W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto NextPowerS3 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal N 30V 150A 0.00176ohm LFPAK33 Montaje Superficial 10V 1.73V 106W 8Pines 175°C NextPowerS3 Series -
    PSMN6R9-100YSFX
    PSMN6R9-100YSFX - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0056 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

    2892880

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0056 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 90A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0056 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 90A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0056ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-669
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3.3V
    Disipación de Potencia Pd 238W
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    Canal N 100V 90A 0.0056ohm SOT-669 Montaje Superficial 10V 3.3V 238W 4Pines 175°C - -
    PSMN8R7-100YSFX
    PSMN8R7-100YSFX - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

    2892883

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

    NEXPERIA

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 90A

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    NEXPERIA 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 90A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0072ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-669
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3.1V
    Disipación de Potencia Pd 198W
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Cada

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    Canal N 100V 90A 0.0072ohm SOT-669 Montaje Superficial 10V 3.1V 198W 4Pines 175°C - -
    STP100N10F7
    STP100N10F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    2629751

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 80A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 80A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0068ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4.5V
    Disipación de Potencia Pd 150W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto DeepGATE STripFET VII Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal N 100V 80A 0.0068ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 4.5V 150W 3Pines 175°C DeepGATE STripFET VII Series -
    STP100N6F7
    STP100N6F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    2807208

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0047ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 125W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto STripFET F7 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    600 En stock

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    Canal N 60V 100A 0.0047ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4V 125W 3Pines 175°C STripFET F7 Series -
    STP130N6F7
    STP130N6F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    3132762

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 80A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 80A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0042ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 160W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto STripFET F7 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal N 60V 80A 0.0042ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 4V 160W 3Pines 175°C STripFET F7 Series -
    STP240N10F7
    STP240N10F7 - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    2807215

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    STMICROELECTRONICS

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 110A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.00285ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4.5V
    Disipación de Potencia Pd 300W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto STripFET F7 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Producto restringido
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    Canal N 100V 110A 0.00285ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4.5V 300W 3Pines 175°C STripFET F7 Series -