VISHAY Semiconductores - Discretos

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SI2343CDS-T1-GE3
SI2343CDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.2 V

2335290

VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.2 V

Cada

5+ 0,49 €   25+ 0,458 €   100+ 0,322 €   250+ 0,294 €   500+ 0,265 €   1000+ 0,20 €   5000+ 0,199 €   Más precios...

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Canal P -5.9A -30V 0.037ohm -10V -1.2V 2.5W SOT-23 3Pines 150°C - -
SI2338DS-T1-GE3
SI2338DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V

2646366

VISHAY - Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id 6A
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V

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VISHAY 

Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.023ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2.5V
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto TrenchFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    11.003

    5+ 0,392 € Precio para 50+ 0,358 € Precio para 100+ 0,266 € Precio para 500+ 0,243 € Precio para 1500+ 0,22 € Precio para

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    2646366RL en Re-reeling
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    5+ 0,392 €   50+ 0,358 €   100+ 0,266 €   500+ 0,243 €   1500+ 0,22 €  

    Producto restringido
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    Canal N 6A 30V 0.023ohm 10V 2.5V 2.5W SOT-23 3Pines 150°C TrenchFET Series -
    SF1600-TR
    SF1600-TR - Diodo Rápido / Ultrarápido, 1.6 kV, 1 A, Único, 3.4 V, 75 ns, 30 A

    1612310

    VISHAY - Diodo Rápido / Ultrarápido, 1.6 kV, 1 A, Único, 3.4 V, 75 ns, 30 A

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto Serie SFx

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    VISHAY 

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 1.6 kV, 1 A, Único, 3.4 V, 75 ns, 30 A

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto Serie SFx
    Estándar de Certificación para Automoción -

    7.468

    5+ 0,47 € Precio para 25+ 0,44 € Precio para 100+ 0,315 € Precio para 250+ 0,288 € Precio para 500+ 0,26 € Precio para 1000+ 0,225 € Precio para 5000+ 0,19 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - - - - 175°C Serie SFx -
    SI2308BDS-T1-GE3
    SI2308BDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

    1838997

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.13ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 1.09W
    Encapsulado del Transistor TO-236
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    57.536

    5+ 0,425 € Precio para 25+ 0,414 € Precio para 100+ 0,275 € Precio para 250+ 0,263 € Precio para 500+ 0,237 € Precio para 1000+ 0,203 € Precio para 5000+ 0,169 € Precio para Más precios...

    Cantidad

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:1838997
    1838997RL en Re-reeling

    5+ 0,425 €   25+ 0,414 €   100+ 0,275 €   250+ 0,263 €   500+ 0,237 €   1000+ 0,203 €   5000+ 0,169 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Canal N 2.3A 60V 0.13ohm 10V 3V 1.09W TO-236 3Pines 150°C - -
    IRFR9110PBF
    IRFR9110PBF - Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

    8649871

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 1.2ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -4V
    Disipación de Potencia Pd 25W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    1.251

    5+ 0,74 € Precio para 25+ 0,664 € Precio para 100+ 0,507 € Precio para 250+ 0,485 € Precio para 500+ 0,435 € Precio para 1000+ 0,429 € Precio para 5000+ 0,422 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,74 €   25+ 0,664 €   100+ 0,507 €   250+ 0,485 €   500+ 0,435 €   1000+ 0,429 €   5000+ 0,422 €   Más precios...

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    Canal P 3.1A 100V 1.2ohm -10V -4V 25W TO-252 3Pines 150°C - -
    SI2337DS-T1-GE3
    SI2337DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

    2101437

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -2.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -80V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

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    Tendremos más stock disponible la semana del 4/03/19

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -2.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -80V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.216ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -4V
    Disipación de Potencia Pd 760mW
    Encapsulado del Transistor TO-236
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    3.620

    5+ 0,827 € Precio para 25+ 0,74 € Precio para 100+ 0,567 € Precio para 250+ 0,527 € Precio para 500+ 0,488 € Precio para 1000+ 0,439 € Precio para 5000+ 0,39 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    5+ 0,827 €   25+ 0,74 €   100+ 0,567 €   250+ 0,527 €   500+ 0,488 €   1000+ 0,439 €   5000+ 0,39 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Canal P -2.2A -80V 0.216ohm -10V -4V 760mW TO-236 3Pines 150°C - -
    BZT03C10-TR
    BZT03C10-TR - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 10 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    9398287

    VISHAY - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 10 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    Tensión Zener Vz Típica 10V
    Disipación de Potencia Pd 3.25W
    Encapsulado del Diodo SOD-57

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    VISHAY 

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 10 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

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    700 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    7.612 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 25.000 estará disponible para su entrega el 10/02/19
  • 25.000 estará disponible para su entrega el 13/02/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 27/01/20

    Tensión Zener Vz Típica 10V
    Disipación de Potencia Pd 3.25W
    Encapsulado del Diodo SOD-57
    Tolerancia Zener ± 5%
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto BZT03 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    8.312

    5+ 0,574 € Precio para 25+ 0,529 € Precio para 100+ 0,386 € Precio para 250+ 0,352 € Precio para 500+ 0,318 € Precio para 1000+ 0,249 € Precio para 5000+ 0,221 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    5+ 0,574 €   25+ 0,529 €   100+ 0,386 €   250+ 0,352 €   500+ 0,318 €   1000+ 0,249 €   5000+ 0,221 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 3.25W - 2Pines 175°C BZT03 Series AEC-Q101
    SS2PH10-M3/84A
    SS2PH10-M3/84A - Rectificador Schottky, 100 V, 2 A, Único, DO-220AA, 2 Pines, 800 mV

    1812489

    VISHAY - Rectificador Schottky, 100 V, 2 A, Único, DO-220AA, 2 Pines, 800 mV

    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 100V
    Corriente Directa If(AV) 2A
    Configuración de Diodo Único

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 100 V, 2 A, Único, DO-220AA, 2 Pines, 800 mV

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    52.605 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    41.686 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 3.000 estará disponible para su entrega el 17/03/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 5/08/19

    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 100V
    Corriente Directa If(AV) 2A
    Configuración de Diodo Único
    Encapsulado del Diodo DO-220AA
    Número de Pines 2Pines
    Tensión Directa VF Máx. 800mV
    Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx. 50A
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto SS2PH Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    94.291

    5+ 0,348 € Precio para 25+ 0,332 € Precio para 100+ 0,206 € Precio para 250+ 0,186 € Precio para 500+ 0,165 € Precio para 1000+ 0,118 € Precio para 5000+ 0,104 € Precio para Más precios...

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
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    Sustitución recomendada para:1812489
    1812489RL en Re-reeling

    5+ 0,348 €   25+ 0,332 €   100+ 0,206 €   250+ 0,186 €   500+ 0,165 €   1000+ 0,118 €   5000+ 0,104 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pines 175°C SS2PH Series -
    VS-10BQ040-M3/5BT
    VS-10BQ040-M3/5BT - Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 450 mV

    2628280

    VISHAY - Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 450 mV

    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 40V
    Corriente Directa If(AV) 1A
    Configuración de Diodo Único

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 450 mV

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    2.325 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    16.695 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 20/05/19

    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 40V
    Corriente Directa If(AV) 1A
    Configuración de Diodo Único
    Encapsulado del Diodo DO-214AA
    Número de Pines 2Pines
    Tensión Directa VF Máx. 450mV
    Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx. 430A
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    19.020

    5+ 0,304 € Precio para 25+ 0,256 € Precio para 100+ 0,174 € Precio para 250+ 0,159 € Precio para 500+ 0,144 € Precio para 1000+ 0,0999 € Precio para 5000+ 0,0801 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:2628280
    2628280RL en Re-reeling

    5+ 0,304 €   25+ 0,256 €   100+ 0,174 €   250+ 0,159 €   500+ 0,144 €   1000+ 0,0999 €   5000+ 0,0801 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pines 150°C - -
    SE30AFD-M3/6A
    SE30AFD-M3/6A - Diodo de Recuperación Estándar, 200 V, 3 A, Único, 980 mV, 40 A

    2313877

    VISHAY - Diodo de Recuperación Estándar, 200 V, 3 A, Único, 980 mV, 40 A

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto SE30A Series

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    VISHAY 

    Diodo de Recuperación Estándar, 200 V, 3 A, Único, 980 mV, 40 A

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    100 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    14.287 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 27/01/20

    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto SE30A Series
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    - - - - - - - - 2Pines 175°C SE30A Series -
    DF02M-E3/45
    DF02M-E3/45 - Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 1 A, Agujero Pasante, 1.1 V, 4 Pines

    1651041

    VISHAY - Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 1 A, Agujero Pasante, 1.1 V, 4 Pines

    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto DF02M Series

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    VISHAY 

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 1 A, Agujero Pasante, 1.1 V, 4 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
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    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto DF02M Series
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    - - - - - - - - 4Pines 150°C DF02M Series -
    IRFU9120PBF
    IRFU9120PBF - Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

    8650136

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id 5.6A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id 5.6A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.6ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -4V
    Disipación de Potencia Pd 42W
    Encapsulado del Transistor TO-251AA
    Número de Pines 3Pines
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    Rango de Producto -
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    Canal P 5.6A -100V 0.6ohm -10V -4V 42W TO-251AA 3Pines 150°C - -
    IRFD120PBF
    IRFD120PBF - Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

    9102361

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.27ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 1.3W
    Encapsulado del Transistor DIP
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    Canal N 1.3A 100V 0.27ohm 10V 4V 1.3W DIP 4Pines 175°C - -
    SI7113DN-T1-GE3
    SI7113DN-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

    2335351

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -13.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -13.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.119ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -4.5V
    Tensión Umbral Vgs -1V
    Disipación de Potencia Pd 52W
    Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    Canal P -13.2A -100V 0.119ohm -4.5V -1V 52W PowerPAK 1212 8Pines 150°C - -
    IRF9630PBF
    IRF9630PBF - Transistor MOSFET, Canal P, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, 4 V

    1653665

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -6.5A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -200V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, 4 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -6.5A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -200V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.8ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 74W
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    2.084

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    Canal P -6.5A -200V 0.8ohm -10V 4V 74W TO-220AB 3Pines 150°C - -
    BZT03C12-TR
    BZT03C12-TR - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 12 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    9398295

    VISHAY - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 12 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    Tensión Zener Vz Típica 12V
    Disipación de Potencia Pd 3.25W
    Encapsulado del Diodo SOD-57

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    VISHAY 

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 12 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

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    Tensión Zener Vz Típica 12V
    Disipación de Potencia Pd 3.25W
    Encapsulado del Diodo SOD-57
    Tolerancia Zener ± 5%
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto BZT03 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    10.726

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    - - - - - - 3.25W - 2Pines 175°C BZT03 Series AEC-Q101
    SI7415DN-T1-GE3
    SI7415DN-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -60 V, 0.054 ohm, -10 V, -1 V

    1794807

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -60 V, 0.054 ohm, -10 V, -1 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -3.6A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -60V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -60 V, 0.054 ohm, -10 V, -1 V

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  • 6.000 estará disponible para su entrega el 24/04/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 27/01/20

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -3.6A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -60V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.054ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -1V
    Disipación de Potencia Pd 1.5W
    Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    7.670

    5+ 1,28 € Precio para 25+ 1,16 € Precio para 100+ 0,909 € Precio para 250+ 0,849 € Precio para 500+ 0,788 € Precio para 1000+ 0,752 € Precio para 5000+ 0,716 € Precio para Más precios...

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    Canal P -3.6A -60V 0.054ohm -10V -1V 1.5W PowerPAK 1212 8Pines 150°C - -
    SB140-E3/54
    SB140-E3/54 - Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 480 mV

    9550348

    VISHAY - Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 480 mV

    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 40V
    Corriente Directa If(AV) 1A
    Configuración de Diodo Único

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 480 mV

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  • 5.500 estará disponible para su entrega el 24/02/19
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    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 40V
    Corriente Directa If(AV) 1A
    Configuración de Diodo Único
    Encapsulado del Diodo DO-41 (DO-204AL)
    Número de Pines 2Pines
    Tensión Directa VF Máx. 480mV
    Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx. 25A
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto SB Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - 2Pines 125°C SB Series -
    VS-P105W
    VS-P105W - Módulo de Puente Rectificador de Tiristores, Monofásico, 25 A, 1200 V

    9104828

    VISHAY - Módulo de Puente Rectificador de Tiristores, Monofásico, 25 A, 1200 V

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C

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    VISHAY 

    Módulo de Puente Rectificador de Tiristores, Monofásico, 25 A, 1200 V

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  • Tendremos más stock disponible la semana del 6/05/19

    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - - 125°C - -
    BYM10-400-E3/96
    BYM10-400-E3/96 - Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    1336571

    VISHAY - Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto BYM10 Series

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    VISHAY 

    Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

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    Rango de Producto BYM10 Series
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    - - - - - - - - 2Pines 175°C BYM10 Series -
    BZX384C4V7-E3-08
    BZX384C4V7-E3-08 - Diodo Zener Simple, 4.7 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 Pines, 150 °C

    2690035

    VISHAY - Diodo Zener Simple, 4.7 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 Pines, 150 °C

    Disipación de Potencia Pd 200mW
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    VISHAY 

    Diodo Zener Simple, 4.7 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 Pines, 150 °C

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    Polaridad de Transistor -
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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BZX384 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - 200mW - 2Pines 150°C BZX384 Series -
    BZX55C5V6-TAP
    BZX55C5V6-TAP - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, -65 °C

    1779202

    VISHAY - Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, -65 °C

    Disipación de Potencia Pd 500mW
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    VISHAY 

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, -65 °C

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. -65°C
    Rango de Producto Serie BZX55
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    7.299

    5+ 0,169 € Precio para 25+ 0,165 € Precio para 100+ 0,0678 € Precio para 250+ 0,0628 € Precio para 500+ 0,0422 € Precio para 1000+ 0,0299 € Precio para 5000+ 0,0227 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - 500mW - 2Pines -65°C Serie BZX55 AEC-Q101
    SI2301CDS-T1-E3
    SI2301CDS-T1-E3 - Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV

    2335284

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -3.1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -3.1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.11ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -2.5V
    Tensión Umbral Vgs -400mV
    Disipación de Potencia Pd 1.6W
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    3.527

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    Canal P -3.1A -20V 0.11ohm -2.5V -400mV 1.6W SOT-23 3Pines 150°C - -
    SUD08P06-155L-GE3
    SUD08P06-155L-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

    2679715

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -8.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -60V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -8.2A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -60V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.125ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -2V
    Disipación de Potencia Pd 20.8W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto TrenchFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    2.000

    2000+ 0,443 € Precio para 6000+ 0,429 € Precio para

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    Reel
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    2646405RL en Re-reeling

    2000+ 0,443 €   6000+ 0,429 €  

    Producto restringido
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    Min: 2000 Mult: 2000
    Canal P -8.2A -60V 0.125ohm -10V -2V 20.8W TO-252 3Pines 150°C TrenchFET Series -
    SE30AFG-M3/6A
    SE30AFG-M3/6A - Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 3 A, Único, 1.1 V, 1.5 µs, 40 A

    2313878

    VISHAY - Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 3 A, Único, 1.1 V, 1.5 µs, 40 A

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto SE30A Series

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    VISHAY 

    Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 3 A, Único, 1.1 V, 1.5 µs, 40 A

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    18.865 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto SE30A Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    18.865

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    - - - - - - - - 2Pines 175°C SE30A Series -

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