Semiconductores - Discretos

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SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

1779264

Data Sheet
+
RoHS

MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

VISHAY

Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Corriente de Drenaje Continua Id 1.6A

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VISHAY 

MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Data Sheet
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    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.6A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.285ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 1.7W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    		Canal P 60V 1.6A 0.285ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 1V 1.7W 3Pines 150°C - -
    VS-FC270SA20
    VS-FC270SA20 - Transistor MOSFET, Canal N, 287 A, 200 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3.16 V

    3513309

     
    Nuevo producto
    Data Sheet
    +
    RoHS

    Transistor MOSFET, Canal N, 287 A, 200 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3.16 V

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
    Corriente de Drenaje Continua Id 287A

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal N, 287 A, 200 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3.16 V Nuevo

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    RoHS
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
    Corriente de Drenaje Continua Id 287A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0033ohm
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3.16V
    Disipación de Potencia Pd 937W
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal N 200V 287A 0.0033ohm - - 10V 3.16V 937W - 175°C - -
    VS-30BQ015-M3/9AT
    VS-30BQ015-M3/9AT - Rectificador Schottky, 15 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 350 mV

    2628288

    Data Sheet
    +
    RoHS

    Rectificador Schottky, 15 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 350 mV

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 15 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 350 mV

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    Data Sheet
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    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    		- - - - - - - - - 2Pines 125°C - -
    1N4001-E3/54
    1N4001-E3/54 - Diodo de Recuperación Estándar, 50 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    2889052

    Data Sheet
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    RoHS

    Diodo de Recuperación Estándar, 50 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    VISHAY 

    Diodo de Recuperación Estándar, 50 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

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    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Min: 5 Mult: 5
    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C - -
    LS4148-GS08
    LS4148-GS08 - Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A

    9549994RL

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Fecha y lote

    Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto LS414 Series

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    VISHAY 

    Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A

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    Data Sheet
    +
    RoHS
    Re-reeling
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto LS414 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    Re-reeling
     Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:9549994RL
    9549994 en Cinta
    2575277 en Reel
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    50+ 0,0559 € 250+ 0,0396 € 1000+ 0,0195 € 7500+ 0,0164 €

    Producto restringido
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    Min: 150 Mult: 5
    		- - - - - - - - - 2Pines 175°C LS414 Series AEC-Q101
    1N5819-E3/54
    1N5819-E3/54 - Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 600 mV

    1336533

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Fecha y lote

    Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 600 mV

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto 1N5819 Series

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 40 V, 1 A, Único, DO-41 (DO-204AL), 2 Pines, 600 mV

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    Data Sheet
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    RoHS
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto 1N5819 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C 1N5819 Series -
    BAV21WS-E3-08
    BAV21WS-E3-08 - Diodo de Señal Pequeña, Único, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A

    2433350

    Data Sheet
    +
    RoHS

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BAV21 Series

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    VISHAY 

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A

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    RoHS
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BAV21 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Min: 5 Mult: 5
    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C BAV21 Series -
    SI4401DDY-T1-GE3
    SI4401DDY-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    2335309

    Data Sheet
    +
    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16.1A

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    VISHAY 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    7.983 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    1.363 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 16/11/20

    Data Sheet
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    RoHS
    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16.1A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.018ohm
    Encapsulado del Transistor SOIC
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 1.2V
    Disipación de Potencia Pd 6.3W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    10.190 En stock

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    Cada

    1+ 0,908 € 10+ 0,67 € 100+ 0,477 € 250+ 0,46 € 500+ 0,399 € 1000+ 0,351 € 5000+ 0,344 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal P 40V 16.1A 0.018ohm SOIC Montaje Superficial 4.5V 1.2V 6.3W 8Pines 150°C - -
    VS-40HF120
    VS-40HF120 - Módulo de Diodos, 1.2 kV, 40 A, 1.3 V, VS-40 Series

    365725

    Data Sheet

    Módulo de Diodos, 1.2 kV, 40 A, 1.3 V, VS-40 Series

    VISHAY

    Rango de Producto VS-40 Series

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    VISHAY 

    Módulo de Diodos, 1.2 kV, 40 A, 1.3 V, VS-40 Series

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  • 300 más estarán disponibles el 9/08/20

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    Data Sheet
    Polaridad de Transistor -
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    		- - - - - - - - - - - VS-40 Series -
    GP02-40-E3/54
    GP02-40-E3/54 - Diodo de Recuperación Estándar, 4 kV, 250 mA, Único, 3 V, 2 µs, 15 A

    2335149

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    Polaridad de Transistor -
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    		- - - - - - - - - 2Pines 175°C GP02 Series -
    SI2329DS-T1-GE3
    SI2329DS-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    2283643

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 8V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 8V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.025ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 350mV
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto E Series
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    		Canal P 8V 6A 0.025ohm SOT-23 Montaje Superficial 4.5V 350mV 2.5W 3Pines 150°C E Series -
    SI2393DS-T1-GE3
    SI2393DS-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 0.0189 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    3263506

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    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 0.0189 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 7.5A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 0.0189 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
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    Tensión Umbral Vgs 2.2V
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto TrenchFET Gen IV Series
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    		Canal P 30V 7.5A 0.0189ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 2.2V 2.5W 3Pines 150°C TrenchFET Gen IV Series -
    2N7002K-T1-GE3
    2N7002K-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    1858936

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 190mA

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 190mA
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 2ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 350mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    		Canal N 60V 190mA 2ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 1V 350mW 3Pines 150°C - -
    SI2301CDS-T1-GE3
    SI2301CDS-T1-GE3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    1779260

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    Fecha y lote

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.1A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.1A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.09ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 400mV
    Disipación de Potencia Pd 1.6W
    Número de Pines 3Pines
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    		Canal P 20V 3.1A 0.09ohm SOT-23 Montaje Superficial 4.5V 400mV 1.6W 3Pines 150°C - -
    VS-30BQ040-M3/9AT
    VS-30BQ040-M3/9AT - Rectificador Schottky, 40 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 570 mV

    2628289

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    Rectificador Schottky, 40 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 570 mV

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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    Rectificador Schottky, 40 V, 3 A, Único, DO-214AB (SMC), 2 Pines, 570 mV

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C - -
    SB540-E3/54
    SB540-E3/54 - Rectificador Schottky, 40 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 480 mV

    9550399

    Data Sheet
    Data Sheet
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    Rectificador Schottky, 40 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 480 mV

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto SB Series

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    Rectificador Schottky, 40 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 480 mV

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto SB Series
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    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C SB Series -
    SI4532CDY-T1-GE3
    SI4532CDY-T1-GE3 - MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    1779268

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    MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N y P Complementario
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A

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    MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal N y P Complementario
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 6A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.038ohm
    Encapsulado del Transistor SOIC
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 2.78W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    1+ 0,727 € 10+ 0,547 € 100+ 0,379 € 250+ 0,366 € 500+ 0,317 € 1000+ 0,304 € 5000+ 0,298 € Más precios...

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    		Canal N y P Complementario 30V 6A 0.038ohm SOIC Montaje Superficial 10V 1V 2.78W 8Pines 150°C - -
    IRF9510PBF
    IRF9510PBF - MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    9103546

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 1.2ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 20W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    		Canal P 100V 3A 1.2ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4V 20W 3Pines 175°C - -
    BYG21M-E3/TR
    BYG21M-E3/TR - Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1.5 A, Único, 1.6 V, 120 ns, 30 A

    1021748

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    Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1.5 A, Único, 1.6 V, 120 ns, 30 A

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    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BYG21 Series

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    Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1.5 A, Único, 1.6 V, 120 ns, 30 A

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Montaje de Transistor -
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    Tensión Umbral Vgs -
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    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BYG21 Series
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    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C BYG21 Series -
    BYV27-200-TR
    BYV27-200-TR - Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 200 V, 2 A, Único, 1.07 V, 25 ns, 50 A

    1469372

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    Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 200 V, 2 A, Único, 1.07 V, 25 ns, 50 A

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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto BYV27 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 200 V, 2 A, Único, 1.07 V, 25 ns, 50 A

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto BYV27 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    		- - - - - - - - - - 175°C BYV27 Series AEC-Q101
    SUD50P10-43L-E3
    SUD50P10-43L-E3 - MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

    2335409

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 38A

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    VISHAY 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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    RoHS
    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 38A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.036ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252AA
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 136W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    		Canal P 100V 38A 0.036ohm TO-252AA Montaje Superficial 10V 3V 136W 3Pines 175°C - -
    S1B-E3/61T
    S1B-E3/61T - Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

    9550224

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    RoHS
    Fecha y lote

    Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto S1B Series

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    Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto S1B Series
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    		- - - - - - - - - 2Pines 150°C S1B Series -
    SI2312BDS-T1-E3
    SI2312BDS-T1-E3 - MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    2396085

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.025ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 850mV
    Disipación de Potencia Pd 750mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    1+ 0,452 € 10+ 0,357 € 100+ 0,246 € 250+ 0,233 € 500+ 0,192 € 1000+ 0,19 € 5000+ 0,186 € Más precios...

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    		Canal N 20V 3.9A 0.025ohm SOT-23 Montaje Superficial 4.5V 850mV 750mW 3Pines 150°C - -
    SI2306BDS-T1-E3
    SI2306BDS-T1-E3 - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Montaje Superficial

    1470157

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    Data Sheet
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    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Montaje Superficial

    VISHAY

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4A

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    VISHAY 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Montaje Superficial

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    Data Sheet
    +
    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 4A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.038ohm
    Encapsulado del Transistor TO-236
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 1.25W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    		Canal N 30V 4A 0.038ohm TO-236 Montaje Superficial 10V 3V 1.25W 3Pines 150°C - -
    SS24-E3/52T
    SS24-E3/52T - Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

    2335167

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    Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

    VISHAY

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto SS24 Series

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto SS24 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    		- - - - - - - - - 2Pines 125°C SS24 Series -