ON SEMICONDUCTOR Semiconductores - Discretos

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FCB20N60
FCB20N60 - Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V

1095000RL

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V

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Canal N 20A 600V 0.15ohm 10V 5V 208W TO-263 3Pines 150°C - -
FCP7N60
FCP7N60 - Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

1095005

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id 7A
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 7A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.53ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 83W
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
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    Canal N 7A 600V 0.53ohm 10V 5V 83W TO-220AB 3Pines 150°C - -
    NTD6415ANLT4G
    NTD6415ANLT4G - Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 100 V, 0.044 ohm, 4.5 V, 2 V

    2724411RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 100 V, 0.044 ohm, 4.5 V, 2 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 23A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 100 V, 0.044 ohm, 4.5 V, 2 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 23A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.044ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 2V
    Disipación de Potencia Pd 83W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
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    1.460

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    Canal N 23A 100V 0.044ohm 4.5V 2V 83W TO-252 3Pines 175°C - -
    FCPF11N60
    FCPF11N60 - Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

    1095007

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 11A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 11A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.32ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 36W
    Encapsulado del Transistor TO-220F
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    1.092

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    Producto restringido
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    Canal N 11A 600V 0.32ohm 10V 5V 36W TO-220F 3Pines 150°C - -
    FQP12N60C
    FQP12N60C - Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V

    1095057

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.53ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 225W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    2.926

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    Canal N 12A 600V 0.53ohm 10V 4V 225W TO-220 3Pines 150°C - -
    BC557ATA
    BC557ATA - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 110 hFE

    2453803

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 110 hFE

    Polaridad de Transistor PNP
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 110 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    11.621

    5+ 0,144 € Precio para 25+ 0,141 € Precio para 100+ 0,0585 € Precio para 250+ 0,0549 € Precio para 500+ 0,053 € Precio para 1000+ 0,0286 € Precio para 5000+ 0,0224 € Precio para Más precios...

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    PNP - - - - - 500mW TO-92 3Pines 150°C - -
    FGA30T65SHD
    FGA30T65SHD - Transistor Único IGBT, Zanja de Parada de Campo, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines

    2781482

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor Único IGBT, Zanja de Parada de Campo, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 238W
    Encapsulado del Transistor TO-3PN
    Número de Pines 3Pines

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Único IGBT, Zanja de Parada de Campo, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 238W
    Encapsulado del Transistor TO-3PN
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    446

    1+ 4,49 € Precio para 10+ 3,40 € Precio para 100+ 2,95 € Precio para

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    Cada

    1+ 4,49 €   10+ 3,40 €   100+ 2,95 €  

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 238W TO-3PN 3Pines 175°C - -
    FCPF7N60
    FCPF7N60 - Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

    1095009

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 7A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V

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    137 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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  • Tendremos más stock disponible la semana del 30/12/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 7A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.53ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 31W
    Encapsulado del Transistor TO-220F
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    137

    1+ 2,22 € Precio para 10+ 1,47 € Precio para 100+ 1,19 € Precio para 250+ 1,17 € Precio para 500+ 1,02 € Precio para 1000+ 0,791 € Precio para Más precios...

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    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 7A 600V 0.53ohm 10V 5V 31W TO-220F 3Pines 150°C - -
    FQP2N60C
    FQP2N60C - Transistor MOSFET, Canal N, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

    1095062

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.35A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

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    685 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Tendremos más stock disponible la semana del 11/03/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.35A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 3.6ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 54W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    900

    5+ 1,04 € Precio para 25+ 0,935 € Precio para 100+ 0,72 € Precio para 250+ 0,679 € Precio para 500+ 0,637 € Precio para 1000+ 0,445 € Precio para 5000+ 0,435 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    5+ 1,04 €   25+ 0,935 €   100+ 0,72 €   250+ 0,679 €   500+ 0,637 €   1000+ 0,445 €   5000+ 0,435 €   Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 1.35A 600V 3.6ohm 10V 4V 54W TO-220 3Pines 150°C - -
    FDN304PZ
    FDN304PZ - Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

    1467974

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -2.4A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

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    3.738 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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  • 3.000 estará disponible para su entrega el 31/05/19
  • 3.000 estará disponible para su entrega el 3/03/19
  • 3.000 estará disponible para su entrega el 31/03/19
  • 3.000 estará disponible para su entrega el 1/06/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 2/12/19

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -2.4A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.036ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -4.5V
    Tensión Umbral Vgs -800mV
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor SuperSOT
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    8.907

    5+ 0,442 € Precio para 25+ 0,415 € Precio para 100+ 0,237 € Precio para 250+ 0,21 € Precio para 500+ 0,184 € Precio para 1000+ 0,157 € Precio para 5000+ 0,14 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
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    Canal P -2.4A -20V 0.036ohm -4.5V -800mV 500mW SuperSOT 3Pines 150°C - -
    TIP31CG
    TIP31CG - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

    1166985

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 40W
    Encapsulado del Transistor TO-220

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    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
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    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
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    Disipación de Potencia Pd 40W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto TIPxxx Series
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    NPN - - - - - 40W TO-220 3Pines 150°C TIPxxx Series -
    FCPF260N60E
    FCPF260N60E - Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V

    2254240

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 15A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 15A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.22ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
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    Disipación de Potencia Pd 36W
    Encapsulado del Transistor TO-220F
    Número de Pines 3Pines
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    Rango de Producto -
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    Canal N 15A 600V 0.22ohm 10V 2.5V 36W TO-220F 3Pines 150°C - -
    FDV303N
    FDV303N - Transistor MOSFET, Canal N, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

    9845020RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 680mA
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 25V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 680mA
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    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.33ohm
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    Número de Pines 3Pines
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    Canal N 680mA 25V 0.33ohm 4.5V 800mV 350mW SOT-23 3Pines 150°C - -
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 1ohm
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    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 50W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Canal N 3.9A 600V 1ohm 10V 5V 50W TO-252 3Pines 150°C - -
    FQD5N60CTM
    FQD5N60CTM - Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

    2453898RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.8A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.8A
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    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 2ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 49W
    Encapsulado del Transistor TO-252AA
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Canal N 2.8A 600V 2ohm 10V 4V 49W TO-252AA 3Pines 150°C - -
    MMBF170LT1G
    MMBF170LT1G - Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

    1431321RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 500mA
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 500mA
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 5ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 225mW
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    113.839

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    Producto restringido
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    Min: 150 Mult: 5
    Canal N 500mA 60V 5ohm 10V 3V 225mW SOT-23 3Pines 150°C - -
    NTK3139PT5G
    NTK3139PT5G - Transistor MOSFET, Canal P, -780 mA, -20 V, 0.38 ohm, -4.5 V, -1.2 V

    2724413

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal P, -780 mA, -20 V, 0.38 ohm, -4.5 V, -1.2 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -780mA
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal P, -780 mA, -20 V, 0.38 ohm, -4.5 V, -1.2 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -780mA
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -20V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.38ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -4.5V
    Tensión Umbral Vgs -1.2V
    Disipación de Potencia Pd 450mW
    Encapsulado del Transistor SOT-723
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    10.350

    5+ 0,295 € Precio para 25+ 0,284 € Precio para 100+ 0,117 € Precio para 250+ 0,111 € Precio para 500+ 0,0882 € Precio para 1000+ 0,0653 € Precio para 5000+ 0,0639 € Precio para Más precios...

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    2724413RL en Re-reeling

    5+ 0,295 €   25+ 0,284 €   100+ 0,117 €   250+ 0,111 €   500+ 0,0882 €   1000+ 0,0653 €   5000+ 0,0639 €   Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    Canal P -780mA -20V 0.38ohm -4.5V -1.2V 450mW SOT-723 3Pines 150°C - -
    BC546BTF
    BC546BTF - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

    2453787

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    14.078

    5+ 0,169 € Precio para 25+ 0,165 € Precio para 100+ 0,0678 € Precio para 250+ 0,0628 € Precio para 500+ 0,0618 € Precio para 1000+ 0,033 € Precio para 5000+ 0,0268 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,169 €   25+ 0,165 €   100+ 0,0678 €   250+ 0,0628 €   500+ 0,0618 €   1000+ 0,033 €   5000+ 0,0268 €   Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 500mW TO-92 3Pines 150°C - -
    FDMS7650
    FDMS7650 - Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 800 µohm, 10 V, 1.9 V

    1885760

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 800 µohm, 10 V, 1.9 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 60A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 800 µohm, 10 V, 1.9 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 60A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 800µohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.9V
    Disipación de Potencia Pd 104W
    Encapsulado del Transistor Power 56
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    2.998

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    Canal N 60A 30V 800µohm 10V 1.9V 104W Power 56 8Pines 150°C - -
    BC557BTA
    BC557BTA - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE

    2453804

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE

    Polaridad de Transistor PNP
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    13.875

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    PNP - - - - - 500mW TO-92 3Pines 150°C - -
    FDT439N
    FDT439N - Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 670 mV

    1471058

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 670 mV

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 6.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 670 mV

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 6.3A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.038ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 670mV
    Disipación de Potencia Pd 3W
    Encapsulado del Transistor SOT-223
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    3.409

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    Canal N 6.3A 30V 0.038ohm 4.5V 670mV 3W SOT-223 4Pines 150°C - -
    FQT5P10TF
    FQT5P10TF - Transistor MOSFET, Canal P, -1 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -4 V

    2464125

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal P, -1 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -4 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal P, -1 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -4 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -1A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -100V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.82ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -4V
    Disipación de Potencia Pd 2W
    Encapsulado del Transistor SOT-223
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal P -1A -100V 0.82ohm -10V -4V 2W SOT-223 3Pines 150°C - -
    MJW21195G
    MJW21195G - Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE

    1700965

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE

    Polaridad de Transistor PNP
    Disipación de Potencia Pd 200W
    Encapsulado del Transistor TO-247

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 200W
    Encapsulado del Transistor TO-247
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    284

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    PNP - - - - - 200W TO-247 3Pines 150°C - -
    BC546BTA
    BC546BTA - Transistor de Unión Bipolar Único, Pequeña Señal, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE

    2453320

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, Pequeña Señal, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Pequeña Señal, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    12.936

    5+ 0,17 € Precio para 25+ 0,166 € Precio para 100+ 0,0678 € Precio para 250+ 0,0628 € Precio para 500+ 0,0618 € Precio para 1000+ 0,033 € Precio para 5000+ 0,0268 € Precio para Más precios...

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    5+ 0,17 €   25+ 0,166 €   100+ 0,0678 €   250+ 0,0628 €   500+ 0,0618 €   1000+ 0,033 €   5000+ 0,0268 €   Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 500mW TO-92 3Pines 150°C - -
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

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  • 2.500 estará disponible para su entrega el 31/08/19
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    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 3.9A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 1ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 50W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    14.322

    10+ 1,06 € Precio para 25+ 0,962 € Precio para 100+ 0,735 € Precio para 250+ 0,693 € Precio para 500+ 0,651 € Precio para 1000+ 0,455 € Precio para 5000+ 0,446 € Precio para Más precios...

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    Re-reeling
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    1324776 en Cinta
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    5+ 1,06 €   25+ 0,962 €   100+ 0,735 €   250+ 0,693 €   500+ 0,651 €   1000+ 0,455 €   5000+ 0,446 €   Más precios...

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    Min: 10 Mult: 5
    Canal N 3.9A 600V 1ohm 10V 5V 50W TO-252 3Pines 150°C - -

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