Semiconductores - Discretos

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BSS138
BSS138 - MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

2323154

MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

ON SEMICONDUCTOR

Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50V
Corriente de Drenaje Continua Id 220mA

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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54.000 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

405.000 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 6.000 más estarán disponibles el 14/07/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 28/09/20

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50V
    Corriente de Drenaje Continua Id 220mA
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.7ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.3V
    Disipación de Potencia Pd 360mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    459.000 En stock

    9000+ 0,0303 € Precio para 27000+ 0,0282 € Precio para

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    Cada (Empaquetado en Rollo Completo)

    Reel

    9000+ 0,0303 € 27000+ 0,0282 €

    Producto restringido
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    Min: 9000 Mult: 9000
    Canal N 50V 220mA 0.7ohm SOT-23 Montaje Superficial 10V 1.3V 360mW 3Pines 150°C - -
    BSS84
    BSS84 - MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    2323155

    MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50V
    Corriente de Drenaje Continua Id 130mA

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    174.000 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 27.000 más estarán disponibles el 14/07/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 29/03/21

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50V
    Corriente de Drenaje Continua Id 130mA
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 1.2ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 5V
    Tensión Umbral Vgs 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 360mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    501.000 En stock

    6000+ 0,0418 € Precio para 18000+ 0,0354 € Precio para

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Rollo Completo)

    Reel

    6000+ 0,0418 € 18000+ 0,0354 €

    Producto restringido
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    Min: 6000 Mult: 6000
    Canal P 50V 130mA 1.2ohm SOT-23 Montaje Superficial 5V 1.7V 360mW 3Pines 150°C - -
    1N5228B
    1N5228B - Diodo Zener Simple, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    1700875

    Diodo Zener Simple, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Simple, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    Tendremos más stock disponible la semana del 7/12/20

    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C
    Rango de Producto 1N52xxB Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    19.900 En stock

    5+ 0,131 € Precio para 25+ 0,129 € Precio para 100+ 0,0436 € Precio para 250+ 0,0417 € Precio para 500+ 0,039 € Precio para 1000+ 0,0239 € Precio para 5000+ 0,0173 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    5+ 0,131 € 25+ 0,129 € 100+ 0,0436 € 250+ 0,0417 € 500+ 0,039 € 1000+ 0,0239 € 5000+ 0,0173 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 500mW 2Pines 200°C 1N52xxB Series -
    1N5229B
    1N5229B - Diodo Zener Simple, 4.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    1700876

    Diodo Zener Simple, 4.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Simple, 4.3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    Tendremos más stock disponible la semana del 7/12/20

    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C
    Rango de Producto 1N52xxB Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    4.155 En stock

    5+ 0,131 € Precio para 25+ 0,129 € Precio para 100+ 0,0436 € Precio para 250+ 0,0417 € Precio para 500+ 0,039 € Precio para 1000+ 0,0239 € Precio para 5000+ 0,0173 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    5+ 0,131 € 25+ 0,129 € 100+ 0,0436 € 250+ 0,0417 € 500+ 0,039 € 1000+ 0,0239 € 5000+ 0,0173 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 500mW 2Pines 200°C 1N52xxB Series -
    BCV26
    BCV26 - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 220 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE

    9846816

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 220 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor PNP
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Disipación de Potencia Pd 350mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 220 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE

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    390 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Tendremos más stock disponible la semana del 30/11/20

    Polaridad de Transistor PNP
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 350mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    5.172 En stock

    5+ 0,242 € Precio para 25+ 0,235 € Precio para 100+ 0,0956 € Precio para 250+ 0,0887 € Precio para 500+ 0,0676 € Precio para 1000+ 0,0465 € Precio para 5000+ 0,0368 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta

    5+ 0,242 € 25+ 0,235 € 100+ 0,0956 € 250+ 0,0887 € 500+ 0,0676 € 1000+ 0,0465 € 5000+ 0,0368 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    PNP - - - SOT-23 - - - 350mW 3Pines 150°C - -
    MBR0520LT1G
    MBR0520LT1G - Rectificador Schottky, 20 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 385 mV

    9556915RL

    Rectificador Schottky, 20 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 385 mV

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto Serie MBR05

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Rectificador Schottky, 20 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 385 mV

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    17.737 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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  • 36.000 más estarán disponibles el 22/08/20
  • 9.000 más estarán disponibles el 4/10/20
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  • Tendremos más stock disponible la semana del 23/11/20

    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto Serie MBR05
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    21.342 En stock

    150+ 0,0875 € Precio para 250+ 0,0782 € Precio para 1000+ 0,0439 € Precio para 5000+ 0,0392 € Precio para

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Re-reeling
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:9556915RL
    9556915 en Cinta
    2317669 en Reel
    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto

    50+ 0,0875 € 250+ 0,0782 € 1000+ 0,0439 € 5000+ 0,0392 €

    Producto restringido
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    Min: 150 Mult: 1
    - - - - - - - - - 2Pines 125°C Serie MBR05 AEC-Q101
    1N5253B
    1N5253B - Diodo Zener Simple, 25 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    1700882

    Diodo Zener Simple, 25 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C

    + Ver toda la información del producto

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Simple, 25 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    5.189 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Disponible hasta que se agoten las existencias
    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C
    Rango de Producto 1N52xxB Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    5.675 En stock

    5+ 0,128 € Precio para 25+ 0,113 € Precio para 100+ 0,04 € Precio para 250+ 0,0382 € Precio para 500+ 0,0358 € Precio para 1000+ 0,0184 € Precio para 5000+ 0,0156 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    5+ 0,128 € 25+ 0,113 € 100+ 0,04 € 250+ 0,0382 € 500+ 0,0358 € 1000+ 0,0184 € 5000+ 0,0156 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 500mW 2Pines 200°C 1N52xxB Series -
    GBU8D
    GBU8D - Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    1017703

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8D Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 200 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

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    432 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    594 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 800 más estarán disponibles el 16/09/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 12/10/20

    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8D Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    1.026 En stock

    1+ 1,57 € Precio para 10+ 1,24 € Precio para 100+ 0,911 € Precio para 250+ 0,858 € Precio para 500+ 0,805 € Precio para 1000+ 0,607 € Precio para 5000+ 0,595 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    1+ 1,57 € 10+ 1,24 € 100+ 0,911 € 250+ 0,858 € 500+ 0,805 € 1000+ 0,607 € 5000+ 0,595 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - - - - 4Pines 150°C GBU8D Series -
    MJL21194G
    MJL21194G - Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    9555790

    Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor NPN
    Encapsulado del Transistor TO-264
    Disipación de Potencia Pd 200W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Audio, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    + Revisar disponibilidad y plazos de entrega

    33 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 16/11/20

    Polaridad de Transistor NPN
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor TO-264
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 200W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    33 En stock

    1+ 5,15 € Precio para 10+ 3,94 € Precio para 100+ 3,15 € Precio para 250+ 2,97 € Precio para 500+ 2,81 € Precio para 1000+ 2,37 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    1+ 5,15 € 10+ 3,94 € 100+ 3,15 € 250+ 2,97 € 500+ 2,81 € 1000+ 2,37 € Más precios...

    Producto restringido
    Añadir
    Min: 1 Mult: 1
    NPN - - - TO-264 - - - 200W 3Pines 150°C - -
    MURD620CTT4G
    MURD620CTT4G - Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 1.13 V, 35 ns, 50 A

    2317414

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 1.13 V, 35 ns, 50 A

    ON SEMICONDUCTOR

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto MURD6 Series

    + Ver toda la información del producto

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 1.13 V, 35 ns, 50 A

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Encapsulado del Transistor -
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    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
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    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto MURD6 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - - - 175°C MURD6 Series -
    MBR0540T1G
    MBR0540T1G - Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

    9556923

    Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MBR05

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    Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MBR05
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    9556923RL en Re-reeling
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    - - - - - - - - - 2Pines 150°C Serie MBR05 AEC-Q101
    FDN304P
    FDN304P - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    9846298

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.4A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.4A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.052ohm
    Encapsulado del Transistor SuperSOT
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 800mV
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    24.441 En stock

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    Canal P 20V 2.4A 0.052ohm SuperSOT Montaje Superficial 4.5V 800mV 500mW 3Pines 150°C - -
    GBU8J
    GBU8J - Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    1017705

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8J Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
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    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8J Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - - 4Pines 150°C GBU8J Series -
    UF4005
    UF4005 - Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 1 A, Único, 1.7 V, 75 ns, 30 A

    1700909

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 1 A, Único, 1.7 V, 75 ns, 30 A

    ON SEMICONDUCTOR

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto UF400 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 1 A, Único, 1.7 V, 75 ns, 30 A

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
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    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto UF400 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - - - 150°C UF400 Series -
    1SMB5931BT3G
    1SMB5931BT3G - Diodo Zener Simple, Propósito General, 18 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 5 %, 2 Pines, 150 °C

    1431173

    Diodo Zener Simple, Propósito General, 18 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 5 %, 2 Pines, 150 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 3W
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Simple, Propósito General, 18 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 5 %, 2 Pines, 150 °C

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 3W
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto 1SMB59xxBT3G Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - 3W 2Pines 150°C 1SMB59xxBT3G Series -
    BD242CG
    BD242CG - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 25 hFE

    9555820

    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 25 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor PNP
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Disipación de Potencia Pd 40W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 25 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 40W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    PNP - - - TO-220 - - - 40W 3Pines 150°C - -
    NDT456P
    NDT456P - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

    9846190

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 7.3A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 7.3A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.026ohm
    Encapsulado del Transistor SOT-223
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.5V
    Disipación de Potencia Pd 3W
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal P 30V 7.3A 0.026ohm SOT-223 Montaje Superficial 10V 1.5V 3W 4Pines 150°C - -
    MBR0540T1G
    MBR0540T1G - Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

    9556923RL

    Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MBR05

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    Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MBR05
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    - - - - - - - - - 2Pines 150°C Serie MBR05 AEC-Q101
    FDN304P
    FDN304P - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    9846298RL

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.4A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20V
    Corriente de Drenaje Continua Id 2.4A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.052ohm
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    Montaje de Transistor Montaje Superficial
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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Canal P 20V 2.4A 0.052ohm SuperSOT Montaje Superficial 4.5V 800mV 500mW 3Pines 150°C - -
    GBU8K
    GBU8K - Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 800 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    1017707

    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 800 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8K Series

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    Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 800 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Montaje de Transistor -
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    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto GBU8K Series
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    - - - - - - - - - 4Pines 150°C GBU8K Series -
    FDN5630
    FDN5630 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    1471049RL

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.7A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 1.7A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.1ohm
    Encapsulado del Transistor SuperSOT
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2.4V
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    Canal N 60V 1.7A 0.1ohm SuperSOT Montaje Superficial 10V 2.4V 500mW 3Pines 150°C - -
    1N4002G
    1N4002G - Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    1651083

    Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto 1N4002 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto 1N4002 Series
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    - - - - - - - - - 2Pines 175°C 1N4002 Series -
    NSR10F40NXT5G
    NSR10F40NXT5G - Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C

    2317571

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto NSR10 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto NSR10 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - - - - 2Pines 150°C NSR10 Series -
    FQD17P06TM
    FQD17P06TM - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    2575363

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.11ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto QFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    Canal P 60V 12A 0.11ohm TO-252 (DPAK) Montaje Superficial 10V 4V 2.5W 3Pines 150°C QFET Series -
    SS24T3G
    SS24T3G - Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

    2317415

    Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

    ON SEMICONDUCTOR

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto SS24T Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Rectificador Schottky, 40 V, 2 A, Único, DO-214AA (SMB), 2 Pines, 500 mV

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    2.272 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto SS24T Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    2.568 En stock

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
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    5+ 0,293 € 50+ 0,132 € 250+ 0,119 € 1000+ 0,0935 € 2500+ 0,0809 €

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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - - 2Pines 150°C SS24T Series AEC-Q101