NXP Semiconductores - Discretos

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Capacitancia Cd Máx. a Vr F Corriente Directa If(AV) Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. Temperatura de Funcionamiento Máx. Encapsulado del Diodo Núm. de Pines Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BB201,215
BB201,215 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

1757785

NXP - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

Capacitancia Cd Máx. a Vr F 102pF
Corriente Directa If(AV) 20mA
Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 15V

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NXP 

Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

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  • Tendremos más stock disponible la semana del 6/05/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 102pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 15V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOT-23
    Núm. de Pines 3 Pines
    Rango de Producto BB201 Series

    2.773

    5+ 0,566 € Precio para 25+ 0,522 € Precio para 100+ 0,323 € Precio para 250+ 0,292 € Precio para 500+ 0,262 € Precio para 1000+ 0,231 € Precio para 5000+ 0,226 € Precio para Más precios...

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:1757785
    1757785RL en Re-reeling

    5+ 0,566 € 25+ 0,522 € 100+ 0,323 € 250+ 0,292 € 500+ 0,262 € 1000+ 0,231 € 5000+ 0,226 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    102pF 20mA 15V 125°C SOT-23 3 Pines BB201 Series
    BB131,115
    BB131,115 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    1349651

    NXP - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 17pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V

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    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

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    Tendremos más stock disponible la semana del 10/06/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 17pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOD-323
    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BB131 Series

    1.708

    5+ 0,275 € Precio para 25+ 0,202 € Precio para 100+ 0,117 € Precio para 250+ 0,111 € Precio para 500+ 0,0938 € Precio para 1000+ 0,0766 € Precio para 5000+ 0,0594 € Precio para Más precios...

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:1349651
    1349651RL en Re-reeling

    5+ 0,275 € 25+ 0,202 € 100+ 0,117 € 250+ 0,111 € 500+ 0,0938 € 1000+ 0,0766 € 5000+ 0,0594 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    17pF 20mA 30V 125°C SOD-323 2 Pines BB131 Series
    AFT05MS003NT1
    AFT05MS003NT1 - Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

    2776248

    NXP - Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    510

    1+ 3,17 € Precio para 10+ 2,36 € Precio para 100+ 2,11 € Precio para 250+ 1,94 € Precio para 500+ 1,76 € Precio para 1000+ 1,43 € Precio para Más precios...

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:2776248
    2776248RL en Re-reeling

    1+ 3,17 € 10+ 2,36 € 100+ 2,11 € 250+ 1,94 € 500+ 1,76 € 1000+ 1,43 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 150°C - - -
    BB135,115
    BB135,115 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    1349652RL

    NXP - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

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    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOD-323
    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BB135 Series

    3.945

    150+ 0,0837 € Precio para 250+ 0,0755 € Precio para 500+ 0,0714 € Precio para 1000+ 0,0682 € Precio para 5000+ 0,0649 € Precio para

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Re-reeling
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:1349652RL
    1349652 en Cinta
    Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto

    5+ 0,304 € 25+ 0,0918 € 100+ 0,0837 € 250+ 0,0755 € 500+ 0,0714 € 1000+ 0,0682 € 5000+ 0,0649 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 150 Mult: 5
    21pF 20mA 30V 125°C SOD-323 2 Pines BB135 Series
    BAP64-02,115
    BAP64-02,115 - Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

    1757789

    NXP - Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

    Corriente Directa If(AV) 100mA
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo SOD-523

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    NXP 

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

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    390 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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  • 3.000 estará disponible para su entrega el 5/09/19
  • 3.000 estará disponible para su entrega el 21/07/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 7/10/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) 100mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo SOD-523
    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BAP64 Series

    3.533

    5+ 0,106 € Precio para 25+ 0,10 € Precio para 100+ 0,0939 € Precio para 250+ 0,0884 € Precio para 500+ 0,0828 € Precio para 1000+ 0,0667 € Precio para 5000+ 0,0648 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:1757789
    1757789RL en Re-reeling

    5+ 0,106 € 25+ 0,10 € 100+ 0,0939 € 250+ 0,0884 € 500+ 0,0828 € 1000+ 0,0667 € 5000+ 0,0648 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 5 Mult: 5
    - 100mA - 150°C SOD-523 2 Pines BAP64 Series
    BFU590GX
    BFU590GX - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776268

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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    385 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    1.301 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 6/05/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    1.686

    5+ 0,707 € Precio para 25+ 0,638 € Precio para 100+ 0,485 € Precio para 250+ 0,457 € Precio para 500+ 0,428 € Precio para 1000+ 0,30 € Precio para 5000+ 0,29 € Precio para Más precios...

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
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    Sustitución recomendada para:2776268
    2776268RL en Re-reeling

    5+ 0,707 € 25+ 0,638 € 100+ 0,485 € 250+ 0,457 € 500+ 0,428 € 1000+ 0,30 € 5000+ 0,29 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    - - - 150°C - - -
    BLT81,115
    BLT81,115 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    1212471

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

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  • 932 estará disponible para su entrega el 9/03/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 6/05/19 Avisarme cuando el producto esté en stock
    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    N / D

    1+ 1,36 € Precio para 10+ 1,28 € Precio para 100+ 1,21 € Precio para 250+ 1,15 € Precio para 500+ 1,08 € Precio para 1000+ 1,01 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta

    1+ 1,36 € 10+ 1,28 € 100+ 1,21 € 250+ 1,15 € 500+ 1,08 € 1000+ 1,01 € Más precios...

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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 175°C - - -
    AFM907NT1
    AFM907NT1 - Transistor FET de RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, DFN

    2805099

    NXP - Transistor FET de RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, DFN

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, DFN

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    903 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 17/06/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    903

    1+ 2,56 € Precio para 10+ 1,88 € Precio para 100+ 1,70 € Precio para 250+ 1,56 € Precio para 500+ 1,41 € Precio para 1000+ 1,15 € Precio para Más precios...

    Cantidad

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    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:2805099
    2805099RL en Re-reeling

    1+ 2,56 € 10+ 1,88 € 100+ 1,70 € 250+ 1,56 € 500+ 1,41 € 1000+ 1,15 € Más precios...

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    - - - 150°C - - -
    MRFX1K80HR5
    MRFX1K80HR5 - Transistor FET de RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

    2784044

    NXP - Transistor FET de RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

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    78 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    78

    1+ 344,00 € Precio para 5+ 285,00 € Precio para

    Cantidad

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:2784044
    2784044RL en Re-reeling

    1+ 344,00 € 5+ 285,00 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 150°C - - -
    MRFE6VS25NR1
    MRFE6VS25NR1 - Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

    2776252

    NXP - Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

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    401 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 29/07/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

    401

    1+ 24,56 € Precio para 5+ 24,32 € Precio para 10+ 21,64 € Precio para 50+ 20,05 € Precio para 100+ 18,46 € Precio para

    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:2776252
    2776252RL en Re-reeling

    1+ 24,56 € 5+ 24,32 € 10+ 21,64 € 50+ 20,05 € 100+ 18,46 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 225°C - - -
    BFU910FX
    BFU910FX - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

    2776287

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

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    575 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    2.996 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 6/05/19

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
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    - - - 150°C - - -
    BB135,115
    BB135,115 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    1349652

    NXP - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
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    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOD-323
    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BB135 Series

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    21pF 20mA 30V 125°C SOD-323 2 Pines BB135 Series
    BAP65-03,115
    BAP65-03,115 - Diodo Pin / de RF, Único, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pines, 0.375 pF

    1757792

    NXP - Diodo Pin / de RF, Único, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pines, 0.375 pF

    Corriente Directa If(AV) 100mA
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo SOD-323

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    NXP 

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pines, 0.375 pF

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    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BAP65 Series

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    - 100mA - 150°C SOD-323 2 Pines BAP65 Series
    MRF1K50HR5
    MRF1K50HR5 - Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

    2776261

    NXP - Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

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    - - - 225°C - - -
    BFU530AR
    BFU530AR - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

    2776269

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

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    - - - 150°C - - -
    AFT05MS004NT1
    AFT05MS004NT1 - Transistor FET de RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    2776253

    NXP - Transistor FET de RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
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    - - - 150°C - - -
    BBY40,215
    BBY40,215 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

    1081217

    NXP - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 6pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
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    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 6pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOT-23
    Núm. de Pines 3 Pines
    Rango de Producto BBY40 Series

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    6pF 20mA 30V 125°C SOT-23 3 Pines BBY40 Series
    BFG35,115
    BFG35,115 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    1758045

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
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    - - - 175°C - - -
    BFU590QX
    BFU590QX - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776273

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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    - - - 150°C - - -
    BFR31,215
    BFR31,215 - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    1758134

    NXP - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

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    Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Núm. de Pines 3 Pines
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    2.815

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    - - - 150°C - 3 Pines -
    MRF1513NT1
    MRF1513NT1 - Transistor FET de RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

    1577894

    NXP - Transistor FET de RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    Transistor FET de RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

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    Corriente Directa If(AV) -
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    - - - 150°C - - -
    BFU550WF
    BFU550WF - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE

    2776296

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE

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    BAP64Q,125
    BAP64Q,125 - Diodo Pin / de RF, Anodo Común Doble, 0.7 ohm, 100 V, SOT-753, 5 Pines, 0.23 pF

    2775914

    NXP - Diodo Pin / de RF, Anodo Común Doble, 0.7 ohm, 100 V, SOT-753, 5 Pines, 0.23 pF

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    NXP 

    Diodo Pin / de RF, Anodo Común Doble, 0.7 ohm, 100 V, SOT-753, 5 Pines, 0.23 pF

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    - 100mA - 150°C SOT-753 5 Pines -
    MW6S004NT1
    MW6S004NT1 - Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

    2776246

    NXP - Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

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    - - - 150°C - - -
    BFG35,115
    BFG35,115 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    1758045RL

    NXP - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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