Semiconductores - Discretos

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BB135,115
BB135,115 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

1349652

Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

NXP

Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
Corriente Directa If(AV) 20mA
Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V

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NXP 

Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

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Capacitancia Cd Máx. a Vr F 21pF
Corriente Directa If(AV) 20mA
Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
Encapsulado del Diodo SOD-323
Núm. de Pines 2 Pines
Rango de Producto BB135 Series

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21pF 20mA 30V 125°C SOD-323 2 Pines BB135 Series
AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1 - Transistor FET de RF, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

2776258

Transistor FET de RF, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

NXP

Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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Transistor FET de RF, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

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Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
Corriente Directa If(AV) -
Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
Encapsulado del Diodo -
Núm. de Pines -
Rango de Producto -

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1+ 3,69 € Precio para 10+ 2,78 € Precio para 100+ 2,42 € Precio para 250+ 2,30 € Precio para 500+ 2,06 € Precio para 1000+ 1,65 € Precio para Más precios...

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- - - 150°C - - -
BF861B,235
BF861B,235 - Transistor JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

3128657

Transistor JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

NXP

Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
Núm. de Pines 3 Pines

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NXP 

Transistor JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines 3 Pines
    Rango de Producto -

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    - - - 150°C - 3 Pines -
    BBY40,215
    BBY40,215 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

    1081217

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

    NXP

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 6pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V

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    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 6pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOT-23
    Núm. de Pines 3 Pines
    Rango de Producto BBY40 Series

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    6pF 20mA 30V 125°C SOT-23 3 Pines BBY40 Series
    MRF300AN
    MRF300AN - Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

    2917575

    Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto MRF300AN; MRF300BN

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto MRF300AN; MRF300BN

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    - - - 175°C - - MRF300AN; MRF300BN
    PMBF4391,215
    PMBF4391,215 - Transistor FET de RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

    2776240

    Transistor FET de RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

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    Min: 5 Mult: 5
    - - - 150°C - - -
    BB131,115
    BB131,115 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    1349651

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

    NXP

    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 17pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V

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    NXP 

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 17pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 30V
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Encapsulado del Diodo SOD-323
    Núm. de Pines 2 Pines
    Rango de Producto BB131 Series

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    Cantidad

    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:1349651
    1349651RL en Re-reeling

    5+ 0,319 € 25+ 0,277 € 100+ 0,136 € 250+ 0,131 € 500+ 0,118 € 1000+ 0,084 € 5000+ 0,0712 € Más precios...

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    Min: 5 Mult: 5
    17pF 20mA 30V 125°C SOD-323 2 Pines BB131 Series
    MRF1K50HR5
    MRF1K50HR5 - Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

    2776261

    Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

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    Cinta

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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 225°C - - -
    AFT05MP075NR1
    AFT05MP075NR1 - Transistor FET de RF, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB

    2890588

    Transistor FET de RF, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto AFT05MP075N Series

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto AFT05MP075N Series

    442 En stock

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    Cinta

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    - - - 150°C - - AFT05MP075N Series
    AFT05MS003NT1
    AFT05MS003NT1 - Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

    2776248

    Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    NXP 

    Transistor FET de RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

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    Cinta
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    Sustitución recomendada para:2776248
    2776248RL en Re-reeling

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    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 150°C - - -
    MRFE6VP5600HR6
    MRFE6VP5600HR6 - Transistor FET de RF, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    2985241

    Transistor FET de RF, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C

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    Transistor FET de RF, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 225°C
    Encapsulado del Diodo -
    Núm. de Pines -
    Rango de Producto -

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    Cinta

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    Min: 1 Mult: 1
    - - - 225°C - - -
    BFQ18A,115
    BFQ18A,115 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 25 hFE

    2776272

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 25 hFE

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C

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    NXP 

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 25 hFE

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    BAP64-03,115
    BAP64-03,115 - Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

    1757790

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

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    Rango de Producto BAP64 Series

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    - 100mA - 150°C SOD-323 2 Pines BAP64 Series
    BF861B,215
    BF861B,215 - Transistor JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

    1758057

    Transistor JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

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    - - - 150°C - 3 Pines -
    MHT1008NT1
    MHT1008NT1 - Transistor FET de RF, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W

    3370099

     
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    Transistor FET de RF, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W

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    - - - 150°C - - -
    MRF300BN
    MRF300BN - Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

    2917576

    Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

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    Rango de Producto MRF300AN; MRF300BN

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    - - - 175°C - - MRF300AN; MRF300BN
    MRF1K50H-TF4
    MRF1K50H-TF4 - Transistor FET de RF, 135 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230H-4S

    2820431

    Transistor FET de RF, 135 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230H-4S

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    - - - 150°C - - -
    BB201,215
    BB201,215 - Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

    1757785

    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 102pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
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    Diodo de Capacitancia Variable, Capacidad Variable (Varicap), 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F 102pF
    Corriente Directa If(AV) 20mA
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. 15V
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    Núm. de Pines 3 Pines
    Rango de Producto BB201 Series

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    102pF 20mA 15V 125°C SOT-23 3 Pines BB201 Series
    BFU590GX
    BFU590GX - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776268

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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    - - - 150°C - - -
    BFG35,115
    BFG35,115 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    1758045

    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

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    - - - 175°C - - -
    BF861C,215
    BF861C,215 - Transistor FET de RF, 25 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

    2776239

    Transistor FET de RF, 25 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

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    - - - 150°C - - -
    MRFE6VP61K25HR6
    MRFE6VP61K25HR6 - Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    2776247

    Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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    - - - 225°C - - -
    BAP64-02,115
    BAP64-02,115 - Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

    1757789

    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

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    Diodo Pin / de RF, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pines, 0.35 pF

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    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Encapsulado del Diodo SOD-523
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    Rango de Producto BAP64 Series

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    - 100mA - 150°C SOD-523 2 Pines BAP64 Series
    MRF101AN
    MRF101AN - Transistor FET de RF, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220

    2985308

    Transistor FET de RF, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220

    NXP

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    Rango de Producto MRF101AN; MRF101BN

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    Corriente Directa If(AV) -
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    - - - 175°C - - MRF101AN; MRF101BN
    BF510,215
    BF510,215 - Transistor JFET, 20 V, 3 mA, 700 µA, 800 mV, SOT-23, JFET

    2776238

    Transistor JFET, 20 V, 3 mA, 700 µA, 800 mV, SOT-23, JFET

    NXP

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Núm. de Pines 3 Pines

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    Transistor JFET, 20 V, 3 mA, 700 µA, 800 mV, SOT-23, JFET

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    Capacitancia Cd Máx. a Vr F -
    Corriente Directa If(AV) -
    Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx. -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    Núm. de Pines 3 Pines
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