Semiconductores - Discretos

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IRFR3910TRLPBF
IRFR3910TRLPBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

2781132

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+
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MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

INFINEON

Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
Corriente de Drenaje Continua Id 16A

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MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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RoHS
Cinta
Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
Corriente de Drenaje Continua Id 16A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.115ohm
Encapsulado del Transistor TO-252AA
Montaje de Transistor Montaje Superficial
Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 4V
Disipación de Potencia Pd 79W
Número de Pines 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
Rango de Producto HEXFET Series
Estándar de Certificación para Automoción -

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1+ 0,882 € 10+ 0,715 € 100+ 0,49 € 250+ 0,486 € 500+ 0,415 € 1000+ 0,335 € 5000+ 0,289 € Más precios...

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Canal N 100V 16A 0.115ohm TO-252AA Montaje Superficial 10V 4V 79W 3Pines 175°C HEXFET Series -
SPP18P06PHXKSA1
SPP18P06PHXKSA1 - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.7 A, 0.102 ohm, TO-220, Orificio Pasante

2432733

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MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.7 A, 0.102 ohm, TO-220, Orificio Pasante

INFINEON

Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Corriente de Drenaje Continua Id 18.7A

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MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.7 A, 0.102 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Corriente de Drenaje Continua Id 18.7A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.102ohm
Encapsulado del Transistor TO-220
Montaje de Transistor Orificio Pasante
Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 2.7V
Disipación de Potencia Pd 81.1W
Número de Pines 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
Rango de Producto -
Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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Canal P 60V 18.7A 0.102ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 2.7V 81.1W 3Pines 175°C - AEC-Q101
SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06PHXKSA1 - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Orificio Pasante

2432734

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+
RoHS

MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Orificio Pasante

INFINEON

Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Corriente de Drenaje Continua Id 80A

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INFINEON 

MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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RoHS
Polaridad de Transistor Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Corriente de Drenaje Continua Id 80A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.021ohm
Encapsulado del Transistor TO-220
Montaje de Transistor Orificio Pasante
Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 3V
Disipación de Potencia Pd 340W
Número de Pines 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
Rango de Producto -
Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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Producto restringido
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Canal P 60V 80A 0.021ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 3V 340W 3Pines 175°C - AEC-Q101
IRL40SC228
IRL40SC228 - MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

2803427

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MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

INFINEON

Polaridad de Transistor Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
Corriente de Drenaje Continua Id 360A

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MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

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    RoHS
    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40V
    Corriente de Drenaje Continua Id 360A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 500µohm
    Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2.4V
    Disipación de Potencia Pd 416W
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto StrongIRFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    148 En stock

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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal N 40V 360A 500µohm TO-263 (D2PAK) Montaje Superficial 10V 2.4V 416W 7Pines 175°C StrongIRFET Series -
    IRFP4332PBF
    IRFP4332PBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

    1436966

    Data Sheet
    +
    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250V
    Corriente de Drenaje Continua Id 57A

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    INFINEON 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

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    RoHS
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250V
    Corriente de Drenaje Continua Id 57A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.029ohm
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 120mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    1+ 4,17 € 10+ 3,17 € 100+ 2,54 € 250+ 2,40 € 500+ 2,25 € 1000+ 1,90 € Más precios...

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal N 250V 57A 0.029ohm TO-247AC Orificio Pasante 10V 5V 120mW 3Pines 175°C - -
    IRFZ48NPBF
    IRFZ48NPBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    1013497

    Data Sheet
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    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55V
    Corriente de Drenaje Continua Id 64A

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    INFINEON 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Data Sheet
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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55V
    Corriente de Drenaje Continua Id 64A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.014ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 130W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    690 En stock

    1+ 1,10 € Precio para 10+ 0,886 € Precio para 100+ 0,614 € Precio para 250+ 0,608 € Precio para 500+ 0,52 € Precio para 1000+ 0,418 € Precio para 5000+ 0,38 € Precio para Más precios...

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    Cada

    1+ 1,10 € 10+ 0,886 € 100+ 0,614 € 250+ 0,608 € 500+ 0,52 € 1000+ 0,418 € 5000+ 0,38 € Más precios...

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    		Canal N 55V 64A 0.014ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 4V 130W 3Pines 175°C - -
    IRFB4115PBF
    IRFB4115PBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    1698286

    Data Sheet
    +
    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150V
    Corriente de Drenaje Continua Id 104A

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    INFINEON 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    RoHS
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150V
    Corriente de Drenaje Continua Id 104A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0093ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 20V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 380W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    8.593 En stock

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    1+ 2,67 € 10+ 2,00 € 100+ 1,60 € 250+ 1,51 € 500+ 1,42 € 1000+ 1,31 € Más precios...

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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal N 150V 104A 0.0093ohm TO-220AB Orificio Pasante 20V 5V 380W 3Pines 175°C - -
    IRF9317TRPBF
    IRF9317TRPBF - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    2577193

    Data Sheet
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    RoHS

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A

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    INFINEON 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    136 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    2.584 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0054ohm
    Encapsulado del Transistor SOIC
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1.8V
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto HEXFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    2.720 En stock

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    2577193RL en Re-reeling

    1+ 0,99 € 10+ 0,781 € 100+ 0,434 € 250+ 0,402 € 500+ 0,371 € 1000+ 0,34 € 5000+ 0,293 € Más precios...

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    Min: 1 Mult: 1
    		Canal P 30V 16A 0.0054ohm SOIC Montaje Superficial 10V 1.8V 2.5W 8Pines 150°C HEXFET Series -
    BSC030N08NS5ATMA1
    BSC030N08NS5ATMA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Montaje Superficial

    2709870

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Montaje Superficial

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    11.418 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0026ohm
    Encapsulado del Transistor TDSON
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 139W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto OptiMOS 5 Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    21.484 En stock

    1+ 2,02 € Precio para 10+ 1,54 € Precio para 100+ 1,13 € Precio para 250+ 1,06 € Precio para 500+ 0,993 € Precio para 1000+ 0,831 € Precio para Más precios...

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    		Canal N 80V 100A 0.0026ohm TDSON Montaje Superficial 10V 3V 139W 8Pines 150°C OptiMOS 5 Series -
    BAR6303WE6327HTSA1
    BAR6303WE6327HTSA1 - Diodo Pin / de RF, AEC-Q101, Único, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pines, 0.21 pF

    2443503

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    Diodo Pin / de RF, AEC-Q101, Único, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pines, 0.21 pF

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    Rango de Producto BAR63 Series
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    		- - - - - - - - - - 125°C BAR63 Series AEC-Q101
    IRLR9343TRPBF
    IRLR9343TRPBF - MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

    2726028

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
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    MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55V
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    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.093ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252AA
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 79W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto HEXFET Series
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    		Canal P 55V 20A 0.093ohm TO-252AA Montaje Superficial 10V 1V 79W 3Pines 175°C HEXFET Series -
    IRL520NPBF
    IRL520NPBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

    1013499

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 10A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
    Corriente de Drenaje Continua Id 10A
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    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 2V
    Disipación de Potencia Pd 48W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
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    		Canal N 100V 10A 0.18ohm TO-220AB Orificio Pasante 10V 2V 48W 3Pines 175°C - -
    IRF9317TRPBF
    IRF9317TRPBF - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    2577193RL

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A
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    Número de Pines 8Pines
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    Rango de Producto HEXFET Series
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    		Canal P 30V 16A 0.0054ohm SOIC Montaje Superficial 10V 1.8V 2.5W 8Pines 150°C HEXFET Series -
    IPP055N03LGXKSA1
    IPP055N03LGXKSA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    1775623

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 50A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
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    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 68W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto OptiMOS 3 Series
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    		Canal N 30V 50A 0.0046ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 1V 68W 3Pines 175°C OptiMOS 3 Series -
    IRF9388TRPBF
    IRF9388TRPBF - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Montaje Superficial

    2579999

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30V
    Corriente de Drenaje Continua Id 12A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0085ohm
    Encapsulado del Transistor SOIC
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 20V
    Tensión Umbral Vgs 1.8V
    Disipación de Potencia Pd 2.5W
    Número de Pines 8Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto HEXFET Series
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    		Canal P 30V 12A 0.0085ohm SOIC Montaje Superficial 20V 1.8V 2.5W 8Pines 150°C HEXFET Series -
    IRFR220NTRLPBF
    IRFR220NTRLPBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

    2725953

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
    Corriente de Drenaje Continua Id 5A
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    Encapsulado del Transistor TO-252AA
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 43W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto HEXFET Series
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    		Canal N 200V 5A 0.6ohm TO-252AA Montaje Superficial 10V 4V 43W 3Pines 175°C HEXFET Series -
    IRLZ44NSTRLPBF
    IRLZ44NSTRLPBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

    2468061

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55V
    Corriente de Drenaje Continua Id 47A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

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    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55V
    Corriente de Drenaje Continua Id 47A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.022ohm
    Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
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    Tensión Umbral Vgs 2V
    Disipación de Potencia Pd 110W
    Número de Pines 3Pines
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    		Canal N 55V 47A 0.022ohm TO-263 (D2PAK) Montaje Superficial 10V 2V 110W 3Pines 175°C - -
    IPW65R041CFDFKSA1
    IPW65R041CFDFKSA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Orificio Pasante

    2443408

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 700V
    Corriente de Drenaje Continua Id 68.5A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 700V
    Corriente de Drenaje Continua Id 68.5A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.037ohm
    Encapsulado del Transistor TO-247
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 500W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    		Canal N 700V 68.5A 0.037ohm TO-247 Orificio Pasante 10V 4V 500W 3Pines 150°C - -
    BFR92PE6327HTSA1
    BFR92PE6327HTSA1 - Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE

    1056520

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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 280mW
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    Transistor de RF - Bipolar, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
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    Encapsulado del Transistor -
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    Disipación de Potencia Pd 280mW
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    		NPN - - - - - - - 280mW 3Pines 150°C - AEC-Q101
    BCR512E6327HTSA1
    BCR512E6327HTSA1 - Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Simple, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Relación

    2443498

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    Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Simple, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Relación

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    Rango de Producto BCR512
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Simple, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Relación

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    Polaridad de Transistor -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Encapsulado del Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Número de Pines -
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    Rango de Producto BCR512
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    		- - - - - - - - - - - BCR512 AEC-Q101
    IPD5N25S3430ATMA1
    IPD5N25S3430ATMA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    2803394

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250V
    Corriente de Drenaje Continua Id 5A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Cinta
    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250V
    Corriente de Drenaje Continua Id 5A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.37ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 41W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto OptiMOS T Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    		Canal N 250V 5A 0.37ohm TO-252 (DPAK) Montaje Superficial 10V 3V 41W 3Pines 175°C OptiMOS T Series -
    IPD034N06N3GATMA1
    IPD034N06N3GATMA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    2443392

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 100A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0028ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 167W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    		Canal N 60V 100A 0.0028ohm TO-252 (DPAK) Montaje Superficial 10V 3V 167W 3Pines 175°C - -
    IRFP3306PBF
    IRFP3306PBF - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

    1602243

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 120A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 120A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0033ohm
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 20V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 220W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
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    		Canal N 60V 120A 0.0033ohm TO-247AC Orificio Pasante 20V 4V 220W 3Pines 175°C - -
    SPP17N80C3XKSA1
    SPP17N80C3XKSA1 - MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    2480724

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Orificio Pasante

    INFINEON

    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800V
    Corriente de Drenaje Continua Id 17A

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    MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Orificio Pasante

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800V
    Corriente de Drenaje Continua Id 17A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.25ohm
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Montaje de Transistor Orificio Pasante
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 227W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
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    		Canal N 800V 17A 0.25ohm TO-220 Orificio Pasante 10V 3V 227W 3Pines 150°C - -
    SPD30P06PGBTMA1
    SPD30P06PGBTMA1 - MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

    2480881

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 30A

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    MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Corriente de Drenaje Continua Id 30A
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.069ohm
    Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK)
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 3V
    Disipación de Potencia Pd 125W
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
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    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

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    		Canal P 60V 30A 0.069ohm TO-252 (DPAK) Montaje Superficial 10V 3V 125W 3Pines 175°C - AEC-Q101