Arrays y Módulos IGBT

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SKM50GB12T4
SKM50GB12T4 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

2301737

SEMIKRON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

Polaridad de Transistor NPN Doble
Corriente de Colector DC 81A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.85V

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SEMIKRON 

Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

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9 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 8 estará disponible para su entrega el 26/02/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 3/06/19

    Polaridad de Transistor NPN Doble
    Corriente de Colector DC 81A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.85V
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor SEMITRANS 2
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    9

    1+ 55,16 € Precio para 5+ 54,73 € Precio para 10+ 54,30 € Precio para 50+ 53,88 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 55,16 € 5+ 54,73 € 10+ 54,30 € 50+ 53,88 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    NPN Doble 81A 1.85V - 1.2kV SEMITRANS 2 7Pines 175°C -
    IXGN200N60B3
    IXGN200N60B3 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    2784063

    IXYS SEMICONDUCTOR - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 300A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.35V

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

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  • 10 estará disponible para su entrega el 22/06/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 2/09/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 300A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.35V
    Disipación de Potencia Pd 830W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 600V
    Encapsulado del Transistor SOT-227B
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto IGBT Module GenX3 Series

    19

    1+ 30,31 € Precio para 5+ 28,92 € Precio para 10+ 25,77 € Precio para 50+ 25,25 € Precio para 100+ 21,98 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 30,31 € 5+ 28,92 € 10+ 25,77 € 50+ 25,25 € 100+ 21,98 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 300A 1.35V 830W 600V SOT-227B 4Pines 150°C IGBT Module GenX3 Series
    SKM400GB125D
    SKM400GB125D - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423700

    SEMIKRON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 400A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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    Tendremos más stock disponible la semana del 20/05/19

    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 400A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 3.3V
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    37

    1+ 306,00 € Precio para 5+ 254,00 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 306,00 € 5+ 254,00 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N Doble 400A 3.3V - 1.2kV Module 7Pines 150°C -
    VLA517-01R
    VLA517-01R - Controlador de Puerta con Aislamiento Galvánico para IGBTs o MOSFETs, 4A, SIP-15

    1689601

    FUJI ELECTRIC - Controlador de Puerta con Aislamiento Galvánico para IGBTs o MOSFETs, 4A, SIP-15

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 4A
    Encapsulado del Transistor SIP

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    FUJI ELECTRIC 

    Controlador de Puerta con Aislamiento Galvánico para IGBTs o MOSFETs, 4A, SIP-15

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    Tendremos más stock disponible la semana del 4/11/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 4A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) -
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo -
    Encapsulado del Transistor SIP
    Número de Pines 15Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 60°C
    Rango de Producto -

    4.094

    1+ 14,90 € Precio para 5+ 14,04 € Precio para 10+ 13,15 € Precio para 50+ 12,88 € Precio para 100+ 12,62 € Precio para 250+ 12,36 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    1+ 14,90 € 5+ 14,04 € 10+ 13,15 € 50+ 12,88 € 100+ 12,62 € 250+ 12,36 € Más precios...

    Producto restringido
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    Canal N 4A - - - SIP 15Pines 60°C -
    IXDN55N120D1
    IXDN55N120D1 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B

    2674741

    IXYS SEMICONDUCTOR - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.3V

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B

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    2 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    11 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 20 estará disponible para su entrega el 13/03/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 22/07/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.3V
    Disipación de Potencia Pd 450W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor SOT-227B
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    13

    1+ 27,88 € Precio para 5+ 26,49 € Precio para 10+ 23,70 € Precio para 50+ 23,13 € Precio para 100+ 20,22 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 27,88 € 5+ 26,49 € 10+ 23,70 € 50+ 23,13 € 100+ 20,22 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 100A 2.3V 450W 1.2kV SOT-227B 4Pines 150°C -
    2MBI100TA-060-50
    2MBI100TA-060-50 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    1689571

    FUJI ELECTRIC - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.4V

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    FUJI ELECTRIC 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

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    587 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 100 estará disponible para su entrega el 10/04/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 4/11/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.4V
    Disipación de Potencia Pd 310W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 600V
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    587

    1+ 47,93 € Precio para 5+ 46,73 € Precio para 10+ 45,50 € Precio para 50+ 44,59 € Precio para 100+ 43,70 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 47,93 € 5+ 46,73 € 10+ 45,50 € 50+ 44,59 € 100+ 43,70 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 100A 2.4V 310W 600V Module 7Pines 150°C -
    2MBI100U4A-120-50
    2MBI100U4A-120-50 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    1689580

    FUJI ELECTRIC - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 150A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.2V

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    FUJI ELECTRIC 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

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    129 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 4/11/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 150A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2.2V
    Disipación de Potencia Pd 540W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto -

    129

    1+ 76,80 € Precio para 5+ 68,08 € Precio para 10+ 63,13 € Precio para 50+ 51,00 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 76,80 € 5+ 68,08 € 10+ 63,13 € 50+ 51,00 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 150A 2.2V 540W 1.2kV Module 7Pines 125°C -
    VS-CPV363M4FPBF
    VS-CPV363M4FPBF - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    2101469

    VISHAY - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 11A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2V

    + Ver toda la información del producto

    VISHAY 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    + Revisar disponibilidad y plazos de entrega

    2 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    5 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 2 estará disponible para su entrega el 18/03/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 2/03/20

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 11A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2V
    Disipación de Potencia Pd 36W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 600V
    Encapsulado del Transistor SIP
    Número de Pines 13Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    7

    1+ 53,68 € Precio para 5+ 52,70 € Precio para 10+ 48,94 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 53,68 € 5+ 52,70 € 10+ 48,94 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 11A 2V 36W 600V SIP 13Pines 150°C -
    VS-GA200SA60UP
    VS-GA200SA60UP - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    2547317

    VISHAY - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 200A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.92V

    + Ver toda la información del producto

    VISHAY 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

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    1 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    3 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/09/19

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 200A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.92V
    Disipación de Potencia Pd 500W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 600V
    Encapsulado del Transistor SOT-227
    Número de Pines 4Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    4

    1+ 33,06 € Precio para 5+ 29,75 € Precio para 10+ 27,44 € Precio para 50+ 26,71 € Precio para 100+ 25,98 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 33,06 € 5+ 29,75 € 10+ 27,44 € 50+ 26,71 € 100+ 25,98 €

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 200A 1.92V 500W 600V SOT-227 4Pines 150°C -
    FSBB15CH60C
    FSBB15CH60C - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    1700678

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 15A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    + Revisar disponibilidad y plazos de entrega

    40 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    15 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 60 estará disponible para su entrega el 31/05/19
  • Tendremos más stock disponible la semana del 3/02/20

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 15A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 2V
    Disipación de Potencia Pd 55W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 600V
    Encapsulado del Transistor SPM27-CC
    Número de Pines 27Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto Motion SPM 3 Series

    55

    1+ 16,60 € Precio para 5+ 15,62 € Precio para 10+ 14,63 € Precio para 50+ 13,76 € Precio para 100+ 12,88 € Precio para 250+ 11,47 € Precio para Más precios...

    Cantidad

    Cada

    1+ 16,60 € 5+ 15,62 € 10+ 14,63 € 50+ 13,76 € 100+ 12,88 € 250+ 11,47 € Más precios...

    Producto restringido
    Añadir
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 15A 2V 55W 600V SPM27-CC 27Pines 150°C Motion SPM 3 Series
    SKM150GAL12T4
    SKM150GAL12T4 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423685

    SEMIKRON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Colector DC 232A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.8V

    + Ver toda la información del producto

    SEMIKRON 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    + Revisar disponibilidad y plazos de entrega

    11 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

    Tendremos más stock disponible la semana del 20/05/19

    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Colector DC 232A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.8V
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto -

    11

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    NPN 232A 1.8V - 1.2kV Module - 125°C -
    FP50R12KE3BOSA1
    FP50R12KE3BOSA1 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

    2726169

    INFINEON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 75A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.7V

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    INFINEON 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 75A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.7V
    Disipación de Potencia Pd 280W
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 125°C
    Rango de Producto EconoPIM 3 Series

    22

    1+ 106,00 € Precio para 5+ 104,00 € Precio para 10+ 102,00 € Precio para

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    Cada

    1+ 106,00 € 5+ 104,00 € 10+ 102,00 €

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    Canal N 75A 1.7V 280W 1.2kV Module - 125°C EconoPIM 3 Series
    SKM150GB12V
    SKM150GB12V - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423689

    SEMIKRON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 231A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.75V

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    SEMIKRON 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

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    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 231A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 1.75V
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    14

    1+ 117,00 € Precio para 5+ 107,00 € Precio para 10+ 103,00 € Precio para

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    Canal N Doble 231A 1.75V - 1.2kV Module 7Pines 175°C -
    SKM100GB125DN
    SKM100GB125DN - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423681

    SEMIKRON - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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    Polaridad de Transistor Canal N Doble
    Corriente de Colector DC 100A
    Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) 3.3V
    Disipación de Potencia Pd -
    Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo 1.2kV
    Encapsulado del Transistor Module
    Número de Pines 7Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    35

    1+ 164,00 € Precio para 5+ 135,00 € Precio para 10+ 121,00 € Precio para 50+ 112,00 € Precio para

    Cantidad

    Cada

    1+ 164,00 € 5+ 135,00 € 10+ 121,00 € 50+ 112,00 €

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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N Doble 100A 3.3V - 1.2kV Module 7Pines 150°C -
    2MBI300U2B-060-50
    2MBI300U2B-060-50 - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module

    1689574

    FUJI ELECTRIC - Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Colector DC 300A