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SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

2400360

VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-7.6A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.024ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-;

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    SI2302DDS-T1-GE3
    SI2302DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    2400359

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:2.6A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.045ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:-; Disi

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    SI2323DDS-T1-GE3
    SI2323DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    2646365

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET, CANAL P, -20V, -5.3A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-5.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.032ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-

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    SI4936CDY-T1-GE3
    SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1779274

    VISHAY - MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8; Polaridad de Transistor:Canal N Doble; Corriente de Drenaje Continua Id:5.8A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.033ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3V; Di

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    SI7149ADP-T1-GE3
    SI7149ADP-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    2646390

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    MOSFET CANAL P -30V, -50A, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-50A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0042ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:

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    SI1317DL-T1-GE3
    SI1317DL-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    2056676

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-1.4A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:4

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    SIA437DJ-T1-GE3
    SIA437DJ-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2364068

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P-CH, 20V, 29.7A, POWERPAKSC70-6; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-29.7A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.012ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral

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    SI4288DY-T1-GE3
    SI4288DY-T1-GE3 - MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    2056718

    VISHAY - MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    MOSFET, NN CH, W/D, 40V, 9.2A, SO8; Polaridad de Transistor:Canal N Doble; Corriente de Drenaje Continua Id:9.2A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0165ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:

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    Cinta

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    SI4403CDY-T1-GE3
    SI4403CDY-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2056683

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 13.4A, SO8; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-13.4A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-

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    SI5403DC-T1-GE3
    SI5403DC-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    2646386

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET, CANAL P, -30V, 6A, CHIFFET; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:6A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.025ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-3V; Di

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