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VISHAY  SUD50N06-07L-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 V

VISHAY SUD50N06-07L-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
96A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
60V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0061ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1V
Disipación de Potencia Pd:
136W
Diseño de Transistor:
TO-252
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Taiwan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.0003

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY

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