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VISHAY  SQ2301ES-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

VISHAY SQ2301ES-T1-GE3
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Resumen del producto

The SQ2301ES-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • AEC-Q101 qualified
  • Halogen-free
  • -55 to 175°C Operating temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-3.9A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.08ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-4.5V
Tensión Umbral Vgs:
-450mV
Disipación de Potencia Pd:
3W
Diseño de Transistor:
TO-236
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Automoción

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000008