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SQ2301ES-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

SQ2301ES-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SQ2301ES-T1-GE3
Código Farnell:
2056704
Hoja de datos técnicos:
(EN)
Vea todos los documentos técnicos

Resumen del producto

The SQ2301ES-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • AEC-Q101 qualified
  • Halogen-free
  • -55 to 175°C Operating temperature range

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Automoción

Información del producto

:
Canal P
:
-3.9A
:
-20V
:
0.08ohm
:
-4.5V
:
-450mV
:
3W
:
TO-236
:
3Pines
:
175°C
:
-
:
AEC-Q101
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