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VISHAY  SQ1420EEH-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SQ1420EEH-T1-GE3
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Resumen del producto

The SQ1420EEH-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • 100% Rg tested
  • AEC-Q101 qualified
  • 800V ESD protection
  • Halogen-free
  • -55 to 175°C Operating temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
1.6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
60V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.1ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
2V
Disipación de Potencia Pd:
3.3W
Diseño de Transistor:
SOT-363
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Automoción

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000005

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