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VISHAY  SIR890DP-T1-GE3.  N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC

VISHAY SIR890DP-T1-GE3.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
50A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0023ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
20V
Tensión Umbral Vgs:
2.6V
Disipación de Potencia Pd:
5W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Singapore

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000225

Alternativas

N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC, FULL REEL

VISHAY

Esperando entrega (Disponibles para pedidos pendientes según los plazos de entrega que se muestran)

Precio para: Cada (Empaquetado en Rollo Completo)

3000+ 1,33 € 6000+ 1,26 € 12000+ 1,25 €

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