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SIR826DP-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SIR826DP-T1-GE3

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SIR826DP-T1-GE3
Código Farnell:
2056698RL
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
104W
:
1.2V
:
SOIC
:
80V
:
10V
:
150°C
:
0.004ohm
:
60A
:
Canal N
:
8Pines
:
-
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Resumen del producto

The SIR826DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for fixed telecom, DC-to-DC converter, POL and primary and secondary side switch applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Comunicaciones y Red

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