Low

VISHAY  SIR826DP-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SIR826DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (333.76KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Resumen del producto

The SIR826DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for fixed telecom, DC-to-DC converter, POL and primary and secondary side switch applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
60A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
80V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.004ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1.2V
Disipación de Potencia Pd:
104W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Comunicaciones y Red

Legislación y medioambiente

País de origen:
Taiwan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.0005

Productos asociados