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VISHAY  SIHP12N50E-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHP12N50E-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
10.5A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
500V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.33ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
114W
Diseño de Transistor:
TO-220AB
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
E Series
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.002159