Low

SIHD12N50E-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHD12N50E-GE3

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SIHD12N50E-GE3
Código Farnell:
2471940
Gama de productos
E Series
Hoja de datos técnicos:
(EN)
Vea todos los documentos técnicos

Información del producto

:
-
:
114W
:
4V
:
TO-252
:
500V
:
10V
:
150°C
:
0.33ohm
:
10.5A
:
Canal N
:
3Pines
:
E Series
Encontrar productos similares Seleccione y modifique los atributos anteriores para encontrar productos similares.

Resumen del producto

The SIHD12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
  • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
  • Low input capacitance (CISS)
  • Reduced switching
  • Reduced conduction losses
  • Low gate charge (Qg)
  • Avalanche energy rated (UIS)
  • Halogen-free

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Iluminación LED, Electrónica de Consumo, Dispositivos Portátiles