Low

VISHAY  SIHD12N50E-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHD12N50E-GE3
Technical Data Sheet (185.26KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Resumen del producto

The SIHD12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
  • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
  • Low input capacitance (CISS)
  • Reduced switching
  • Reduced conduction losses
  • Low gate charge (Qg)
  • Avalanche energy rated (UIS)
  • Halogen-free

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
10.5A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
500V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.33ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
114W
Diseño de Transistor:
TO-252
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
E Series
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Iluminación LED;
  • Electrónica de Consumo;
  • Dispositivos Portátiles

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.002117