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VISHAY  SIHB20N50E-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHB20N50E-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
19A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
500V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.16ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
179W
Diseño de Transistor:
TO-263
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
E Series
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.001996