Low

VISHAY  SIHB15N50E-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHB15N50E-GE3
Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SIHB15N50E-GE3
Código Farnell:
2471938
Gama de productos
E Series
Hoja de datos técnicos:
Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
14.5A
Tensión Drenador-Fuente (Vds):
500V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
0.243ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
156W
Diseño de Transistor:
TO-263
Número de Pines:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
E Series
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.001669