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VISHAY  SI7450DP-T1-GE3  N CHANNEL MOSFET

VISHAY SI7450DP-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
3.2A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
200V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.065ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4.5V
Disipación de Potencia Pd:
1.9W
Diseño de Transistor:
PowerPAK SO
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.00028

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 3.2 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 4.5 V

VISHAY

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