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VISHAY  SI5997DU-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.2 V

VISHAY SI5997DU-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P Doble
Intensidad Drenador Continua Id:
-6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.045ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.2V
Disipación de Potencia Pd:
10.4W
Diseño de Transistor:
PowerPAK
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000145

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